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R+O(宏嘉诚)PDFN-8(5x6)
二极管 / 晶体管场效应管(MOSFET)
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该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻,同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
DIODES(美台)SOT-223
二极管 / 晶体管场效应管(MOSFET)
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特性:无卤,符合IEC 61249-2-21定义。 TrenchFET功率MOSFET。 100%进行IGS测试。 符合RoHS指令2002/95/EC。应用:初级侧开关
VISHAY(威世)SO-8
二极管 / 晶体管场效应管(MOSFET)
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特性:无卤,符合 IEC 61249-2-21 标准。 TrenchFET 功率 MOSFET。应用:负载开关
VISHAY(威世)SOT-23-3
二极管 / 晶体管场效应管(MOSFET)
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Trench Power AlphaSGTTM技术。低RDS(ON)。逻辑电平驱动。出色的QG x RDS(ON)乘积(FOM)。尖峰优化工艺。符合RoHS和无卤标准
AOSTO-252
二极管 / 晶体管场效应管(MOSFET)
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这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
TECH PUBLIC(台舟)TO-252-3L
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特性:使用CRM(CQ)先进的SkyMOS2技术。 极低的导通电阻RDS(on)。 出色的Qg × RDS(on)乘积(FOM)。 符合JEDEC标准。应用:AC/DC快速充电器的同步整流。 电池管理
CRMICRO(华润微)DFN-8(5x6)
二极管 / 晶体管场效应管(MOSFET)
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P沟道增强型场效应晶体管 (FET),采用沟槽MOSFET技术,封装在小型SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。
Nexperia(安世)SOT-23
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场效应管(MOSFET)
UMW(友台半导体)PDFN-8(5.8x4.9)
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N沟道,50V,3A,130mΩ@10V
Infineon(英飞凌)SO-8
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N沟道,200V,3.3A,1.5Ω@10V
VISHAY(威世)TO-220AB
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R+O(宏嘉诚)TO-252
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新一代MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,适用于高效电源管理应用。
DIODES(美台)SOT-23
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R+O(宏嘉诚)TO-252
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特性:TrenchFET Gen II p- 沟道功率 MOSFET。 100% Rg 和 UIS 测试。应用:适配器开关。 电池开关
VISHAY(威世)PowerPAK1212-8
二极管 / 晶体管场效应管(MOSFET)
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N沟道,40V,130A,2.3mΩ@10V
NCE(无锡新洁能)DFN5X6-8L
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新一代MOSFET设计用于最小化导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,适用于高效电源管理应用。
DIODES(美台)TO-252(DPAK)
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AOSDFN-8(5x6)
二极管 / 晶体管场效应管(MOSFET)
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使用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻 (RDS(ON))。该器件非常适合用作负载开关或用于PWM应用。
NCE(无锡新洁能)TO-252-2L
二极管 / 晶体管场效应管(MOSFET)
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N沟道,75V,80A,9.5mΩ@10V
ST(意法半导体)TO-220
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