N- 沟道增强型场效应晶体管 (FET),采用沟槽 MOSFET 技术,采用中功率 DFN2020MD- 6 (SOT1220) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
Nexperia(安世)DFN2020MD-6
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CSD17308Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、11.8mΩ、30V、N 沟道 NexFETTM 功率 MOSFET
TI(德州仪器)VSON-CLIP-8(3.3x3.3)
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Nexperia(安世)SOT-223-3
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CJAC110SN10L采用屏蔽栅沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻(RDS(ON))。它可用于多种应用场景。
CJ(江苏长电/长晶)PDFNWB5x6-8L
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NCE15P25JK采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的 $\mathsf{R_{DS(ON)}}$。它可用于多种应用。
NCE(无锡新洁能)TO-252-2L
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HSH90P06是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。HSH90P06符合RoHS标准和绿色产品要求,100%保证具有抗雪崩能力(EAS),并通过了全功能可靠性认证。
HUASHUO(华朔)TO-263
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CSD87313DMS 采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共漏极、5.5mΩ、30V、N 沟道 NexFETTM 功率 MOSFET
TI(德州仪器)WSON-8(3.3x3.3)
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VISHAY(威世)PowerPAK-SO-8
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P沟道,-20V,-7.7A,40mΩ@-10V
Infineon(英飞凌)SO-8
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N沟道,650V,16A,220mΩ@10V
ST(意法半导体)TO-220FP
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NCEP40P80K采用超级沟槽技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流
NCE(无锡新洁能)TO-252-2L
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屏蔽栅沟槽型功率MOSFET
NCE(无锡新洁能)DFN5X6-8L
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N沟道,75V,210A,3.3mΩ@10V
Infineon(英飞凌)TO-220AB
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新的标准和专有方法让以太网供电(PoE)系统能够为每个受电设备(PD)提供高达90W的功率。这些解决方案在“软启动”、热管理和功率密度要求方面对供电设备(PSE)提出了更高的要求。
Nexperia(安世)LFPAK33-8
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特性:无卤,符合 IEC 61249-2-21 标准。TrenchFET 功率 MOSFET
VISHAY(威世)PowerPAKSO-8
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特性:新的革命性高压技术。超低栅极电荷。周期性雪崩额定。极高的dv/dt额定值。高峰值电流能力。改进的跨导。无铅镀铅;符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证
Infineon(英飞凌)TO-247AC-3
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CSD19502Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、4.1mΩ、80V、N 沟道 NexFETTM 功率 MOSFET
TI(德州仪器)VSON-CLIP-8(6x5)
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CSD19532Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、4.9mΩ、100V、N 沟道 NexFETTM 功率 MOSFET
TI(德州仪器)SON-8(5x6)
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特性:TrenchFET Power MOSFET。应用:负载开关
VISHAY(威世)TO-252
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P沟道,-30V,-60A,0.0026Ω@-10V
VISHAY(威世)PowerPAKSO-8
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