海量元器件型号，
快速搜索匹配。

N沟道900 V、0.60 Ohm典型值、8 A MDmesh K5功率MOSFET,TO-220FP封装

CSD88599Q5DC 采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、60V、N 沟道同步降压 NexFETTM 功率 MOSFET Dual-CoolTM 电源块

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。650V CoolMOS CFD2系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优点,同时提供极快且坚固的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与最高的坚固性相结合,使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。

350W - 50V HF/VHF DMOS晶体管

2302 是高单元密度沟槽型 N 沟道 MOSFET,能为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻(RDSON)和效率。2302 符合 RoHS 标准和绿色产品要求,且通过了全功能可靠性认证。

场效应管(MOSFET)

特性:先进的沟槽工艺技术。 用于超低导通电阻的高密度单元设计。应用:便携式设备负载开关。 DC/DC转换器

1个P沟道 耐压:20V 电流:3A适用于电源开关和信号控制

带ESD防护,N沟道,60V,0.3A,1.8Ω@10V;应用领域:开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

N管/30V/5A/30mΩ/(典型25mΩ)

特性:VDS 60V。ID 340mA。RDS(ON) (at VGS=10V) <2.5ohm。RDS(ON) (at VGS=4.5V) <3.0ohm。应用:负载/电源开关。接口开关

公开页面暂无产品说明。

漏源电压:30V 连续漏极电流:5.7A 导通电阻:48mΩ@2.5V 耗散功率:1.4W 阀值电压:0.65V 工作温度:-55°C~+150°C@(Tj)

特性:VDS 30V。 ID (在 VGS = 10V 时) 5.7A。 RDS(ON) (在 VGS = 10V 时) <26.5mΩ。 RDS(ON) (在 VGS = 4.5V 时) <32mΩ。 RDS(ON) (在 VGS = 2.5V 时) <48mΩ

特性:20V/-3A, RDS(ON) = 120mΩ(MAX) @VGS = -4.5V。 RDS(ON) = 150mΩ(MAX) @VGS = -2.5V。 超高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)。 可靠耐用。 SOT-23表面贴装封装。应用:电源管理。 便携式设备和电池供电系统

采用先进的沟槽技术,可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷以及适用于超低导通电阻的高密度单元设计。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。

公开页面暂无产品说明。

公开页面暂无产品说明。

P沟道,-20V,-0.66A,520mΩ@-4.5V

公开页面暂无产品说明。