海量元器件型号，
快速搜索匹配。

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。

特性:低导通电阻:VDS = 20V,ID = 5A,RDS(ON) ≤ 25mΩ @VGS = 4.5V。 低栅极电荷。 适用于同步整流应用。 表面贴装器件

3400采用先进的沟槽技术,可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

N沟道,30V,3.3A,60mΩ@10V

小信号 MOSFET 30 V,154 mA,单,N 沟道,门极 ESD 保护,SC-75

原厂变更型号,性能完全一致。对应老型号为:FDN335N

French Power Lv MOSFET技术。高功率和电流处理能力

公开页面暂无产品说明。

特性:使用先进的沟槽技术。 提供出色的导通电阻(RDS(ON))。 低栅极电荷。 可在低至1.8V的栅极电压下工作

特性:快速开关。 超低电压驱动(2.5V驱动)。 高达2kV(HBM)的ESD保护。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 无卤素。应用:开关电路。 低端负载开关

MOSFET,P-channel 30V/12V 4.2A VGS(th)=1V 45mΩ@4.2A&10V,SOT-23

AP6800采用先进的沟槽技术,可提供出色的Rps(导通)和低栅极电荷。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。

P沟道 30V 230mA

这款MOSFET旨在最小化导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合用于高效电源管理应用。

特性:VDS = 30V,ID = 3A。 RDS(ON) < 95mΩ @ VGS = 4.5V。 RDS(ON) < 75mΩ @ VGS = 10V。应用:负载开关。 PWM应用

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。

特性:VDS = 100V, ID = 3.5A。 RDS(ON) < 130mΩ @ VGS = 10V (96mΩ Typ)。 RDS(ON) < 180mΩ @ VGS = 4.5V (140mΩ Typ)。应用:负载/电源开关。 接口开关

应用于电脑、DC/DC转换器的电源管理等等。

双N沟道增强型场效应晶体管(FET),采用沟槽MOSFET技术,采用非常小的SOT363(SC-88)表面贴装器件(SMD)塑料封装。

特性:符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤产品。 TrenchFET 功率 MOSFET。 100%进行 Rg 测试。 符合 RoHS 指令 2002/95/EC。应用:便携式设备的负载开关。 DC/DC 转换器