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广泛应用于电源转换、负载开关控制及电池管理系统,实现卓越的功率密度与效率表现。

20N06D是高单元密度的沟槽式N沟道MOSFET,能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。20N06D符合RoHS标准和绿色产品要求,100%通过EAS认证,具备全面的功能可靠性。

N沟道,30V,5.8A,25.5毫欧。

应用:负载/电源开关。接口开关。逻辑电平转换

CJQ4459A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

双P沟 30V 3A

高单元密度沟槽式P沟道MOSFET,为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻和效率。符合RoHS和绿色产品要求,并通过了全功能可靠性认证。

P沟道,-30V,-1.95A,200mΩ@-10V

N沟道,30V,2.6A,98mΩ@2.5V

特性:低导通电阻。极低的栅极阈值电压,最大0.9V。快速开关速度。低输入/输出泄漏。超小型表面贴装封装。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑,“绿色”器件。ESD保护栅极

1个P沟道 耐压:30V 电流:12A适用于电源开关和信号控制

使用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷,并可在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

高单元密度沟槽式N沟道MOSFET,为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。符合RoHS标准和绿色产品要求。

N沟道,30V,100A,2mΩ@10V

N沟道,20V,1.9A,120mΩ@4.5V

双N沟道增强型场效应晶体管 (FET),采用无铅超小DEN1010B-6 (SOT1216) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装,使用沟槽MOSFET技术。

特性:VDS = 40V。ID = 40A。RDS(on)@VGS = 10V < 8.5mΩ。RDS(on)@VGS = 4.5V < 12mΩ。沟槽功率低压MOSFET技术。电压控制小信号开关。应用:DC-DC转换器。负载开关

特性:VDS =-30V, ID =-12A。 RD(SON)(Typ.) 9.5mΩ @ VGS =-10V。 RD(SON)(Typ.) 14mΩ @ VGS =-4.5V。应用:PWM应用。 负载开关

特性:无卤选项。 TrenchFET功率MOSFET。应用:便携式设备的负载开关

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。