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AP68N06系列采用创新设计和硅工艺技术,以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计人员提供了一种极其高效的器件,可广泛应用于各种电源领域。DFN5*G封装在所有采用红外回流焊技术的商业工业表面贴装应用中广受欢迎,并且由于其连接电阻低,适用于大电流应用

P沟道,-20V,-2.6A,150mΩ@-4.5V

P沟道,-30V,-0.76A,600mΩ@-10V

特性:-40V, -30A。 RDS(ON) < 13mΩ @ VGS = -10V。 RDS(ON) < 22mΩ @ VGS = -4.5V。 先进的沟槽技术。 获得无铅产品认证。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用:PWM应用。 负载开关

P-ChannelMOSFET

P沟道,-30V,-10.5A,13.5mΩ@-10V,-10A,-1.5V@-250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

特性:低导通电阻:45mΩ @ VGS = +10V;65mΩ @ VGS = +4.5V。低栅极阈值电压。低输入电容。快速开关速度。低输入/输出泄漏。无铅设计/符合RoHS标准。“绿色”器件。符合AEC-Q101标准,高可靠性

适合电池管理系统、AC/DC转换及各类消费电子产品。集成双极性通道,提供优越的开关特性和低导通电阻,确保在正负电压下稳定工作,提升系统效能与节能表现。

特性:低 RDS(on) 以最小化传导损耗。 低电容以最小化驱动损耗。 优化的栅极电荷以最小化开关损耗。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂,且符合 RoHS 标准。应用:DC-DC 转换器。 功率负载开关

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。

采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

P沟道,-30V,-3A,98mΩ@-10V

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。

N 沟道增强型场效应晶体管 (FET),采用 Trench MOSFET 技术,采用无铅超小型 DFN1006-3 (SOT883) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

公开页面暂无产品说明。

这款 MOSFET 旨在将导通电阻(RDS(ON))降至最低,同时保持卓越的开关性能,使其非常适合高效电源管理应用。

广泛应用于电池管理系统、电源转换及各类高效能电子设备中,实现卓越的功率控制与能效管理。

公开页面暂无产品说明。

P沟道,-12V,-16A,21mΩ@-4.5V

此 P 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的,特别适用于最大程度降低导通电阻,同时保持低门极电荷,实现卓越的开关性能。此类器件非常适用于便携式电子应用:负载开关和电源管理、电池充电电路和 DC/DC 转换。