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N沟

NCE4606采用先进的沟槽技术,可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于构成电平转换高端开关,也适用于众多其他应用。

P沟道增强型场效应晶体管(FET),采用沟槽MOSFET技术,采用无铅超小型OFN1006-3(SOT883)表面贴装器件(SMD)塑料封装。

特性:VDS = -30V, ID = -80A。 RDS(ON) ≤ 8mΩ @ VGS = -10V。 RDS(ON) ≤ 11mΩ @ VGS = -4.5V。应用:负载/电源开关。 接口开关

特性:1.8 V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 26.3mΩ(典型值)(@VGS = -1.8V);RDS(ON) = 20.1mΩ(典型值)(@VGS = -2.5V);RDS(ON) = 15.9mΩ(典型值)(@VGS = -4.5V)。应用:电源管理开关

特性:100% EAS保证。 提供绿色环保器件。 超低栅极电荷。 出色的CdV/dt效应抑制。 先进的高单元密度沟槽技术。应用:负载开关。 电源管理

特性:60V,4A,RDS(ON) = 85 mΩ @ VGS = 10 V。 RDS(ON) = 100 mΩ @ VGS = 4 V。 高密单元设计,实现极低的RDS(ON)。 坚固可靠。 符合无铅产品要求。 SOT-223封装。应用:负载/电源开关。 接口

AGM18N10AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

CJQ60P05采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的 $\mathsf{R_{DS(ON)}}$。它可用于多种应用场景。

N沟 20V 6A

适用于开关电力转换器应用。

特性:RDS(ON)≤35 mΩ@VGS=10V。 RDS(ON)≤45 mΩ@VGS=4.5V。 超高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)。 出色的导通电阻和最大直流电流能力。应用:笔记本电脑电源管理。 便携式设备

特性:使用先进的沟槽技术和设计,提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。 VDS(V) = 60V。 ID = 30A (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 25mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 30mΩ (VGS = 4.5V)。 采用先进的沟槽技术。 具有出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。 是无铅产品

N沟道,40V,6A

公开页面暂无产品说明。

特性:分裂栅沟槽MOSFET技术。 出色的散热封装。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用:DC-DC转换器。 电源管理功能

N沟道,30V,6.9A,27mΩ@10V

特性:TrenchFET功率MOSFET,12V额定。 100% Rg测试。 栅源ESD保护:1000V。 RoHS合规,无卤。应用:便携式设备的负载/电源开关。 驱动器:继电器、螺线管、灯、锤子、显示器、存储器

N沟道 30V 62A

P沟道