NCE3020Q采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻(RDS(ON))。它可用于多种应用场景。
NCE(无锡新洁能)DFN3.3x3.3-8L
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HSBB4115是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。HSBB4115符合RoHS标准和绿色产品要求,100%保证具有抗雪崩能力(EAS),并通过了全功能可靠性认证。
HUASHUO(华朔)PRPAK3x3-8L
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特性:TrenchFET功率MOSFET。典型ESD保护:800V。通过AEC-Q101认证。100%进行Rg和UIS测试
VISHAY(威世)SOT-23
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此 60V P 沟道 MOSFET 是使用 Fairchild Semiconductor 的高压沟槽工艺生产的。此产品非常适用于电源管理应用。
onsemi(安森美)SOT-223
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N沟道,100V,10A,185mΩ@10V
Infineon(英飞凌)DPAK(TO-252AA)
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N沟道,55V,29A,40mΩ@10V
Infineon(英飞凌)TO-220AB
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CJU40P04A采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻(RDS(on))。它可用于各种应用场景。
CJ(江苏长电/长晶)TO-252-2L
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特性:TrenchFET功率MOSFET。 热增强型PowerPAK@ SC-70封装。 小占地面积。 低导通电阻。应用:便携式设备的负载开关
VISHAY(威世)PowerPAK-SC-70-6-Dual
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100V N沟道 Power MOSFET,电流:186A,耐压:100V
Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)TO-263-3L
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大电流SGT MOSFET产品,N沟道,耐压:100V,电流:100A,Rdson:4.5mR
Siliup(矽普)PDFN-8L(5x6)
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特性:无卤,符合 IEC 61249-2-21 标准。 TrenchFET 功率 MOSFET。应用:负载开关。 PA 开关
VISHAY(威世)SOT-23-3
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这款先进的高压MOSFET旨在承受雪崩模式下的高能量,并实现高效开关。这种新型高能量器件适用于高电压、高速开关应用,如电源、转换器、动力电机控制和桥接电路。
CJ(江苏长电/长晶)TO-252-2L
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采用先进的沟槽技术和设计,可提供出色的低导通电阻和低栅极电荷,可用于各种应用。
CJ(江苏长电/长晶)PDFNWB3.3x3.3-8L
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NCE40H12K采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻(RDS(ON))。它可用于多种应用场景。
NCE(无锡新洁能)TO-252-2L
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电池管理系统、电源开关及高效能电子设备设计,具有卓越的低导通电阻和快速开关性能,确保在各种应用场合下实现稳定高效的功率转换与控制。
JSMSEMI(杰盛微)TO-252
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应用:负载/电源开关。接口。开关逻辑电平转换
TECH PUBLIC(台舟)SOP-8
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CJAC130SN06L采用屏蔽栅沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
CJ(江苏长电/长晶)PDFNWB5x6-8L
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N沟道,100V,31A,39mΩ@10V
Infineon(英飞凌)DPAK(TO-252AA)
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这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
TECH PUBLIC(台舟)PDFN-8L(3x3)
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P沟道增强型场效应晶体管 (FET),采用沟槽MOSFET技术,采用中等功率DFN2020MD-6 (SOT1220) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
Nexperia(安世)DFN-6-EP(2x2)
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