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P沟道,-100V,-13A,-205mΩ@-10V

P沟道增强型场效应晶体管 (FET),采用沟槽MOSFET技术,采用小型SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

N沟道,60V,50A,15mΩ@10V

P沟道,-150V

HSBA100P04是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。HSBA100P04符合RoHS标准和绿色产品要求,100%经过雪崩能量耐量(EAS)测试,具备完整的功能可靠性认证。

新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(on)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。

此MOSFET旨在满足汽车应用的严格要求。它符合AEC-Q101标准,具备PPAP能力,适用于以下方面:DC-DC转换器、电源管理功能、背光。

P沟道,-200V,-6.5A,800mΩ@-10V

特性:PowerPAIR 优化同步降压转换器的高端和低端 MOSFET。 TrenchFET 功率 MOSFET。 100% Rg 和 UIS 测试。应用:同步降压。 电池充电

电池管理系统、电源开关及高效能电子设备设计,具有卓越的低导通电阻和快速开关性能,确保在各种应用场合下实现稳定高效的功率转换与控制。

公开页面暂无产品说明。

N沟道,55V,3.8A,40mΩ@10V

特性:TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试

CSD18537NQ5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、13mΩ、60V、N 沟道 NexFETTM 功率 MOSFET

特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 1.35Ω(典型值)。 低泄漏电流:IDSS = 10μA(最大值)(VDS = 640V)。 增强模式:VtA = 2.5 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 0.6 mA)。应用:开关稳压器

采用最新的Trench 9低欧姆超结技术的汽车级N沟道MOSFET,封装在坚固的LFPAK56封装中。该产品经过全面设计和认证,符合AEC-Q101要求,具有高性能和耐用性。

60V P-Channel MOSFET采用高压PowerTrench工艺,针对电源管理应用进行了优化。

CJAC100P03采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。

特性:针对高性能开关电源(SMPS)进行优化,例如同步整流。 100%雪崩测试。 卓越的热阻。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤

N沟道,55V,42A,27mΩ@10V