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采用LFPAK56封装的250 A逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET。采用独特的“肖特基增强(SchottkyPlus)”技术的NextPowerS3产品组合,可实现高效率、低尖峰性能,通常与集成肖特基或类肖特基二极管的MOSFET性能相当,但不会出现高漏电流的问题。NextPowerS3特别适用于高开关频率的高效应用

P沟道,-100V,-40A,60mΩ@-10V

NCE40P13S采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻(RDS(ON))。它可用于各种应用场合。

特性:Split Gate Trench MOSFET technology。 优秀的散热封装。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用:DC-DC转换器。 电源管理功能

特性:小尺寸、薄封装。 高速开关。 小栅极电荷:Q_SW = 18 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:R_DS(ON) = 3.3 mΩ(典型值)(V_GS = 10 V)。 低泄漏电流:I_HSS = 10 μA(最大值)(V_DS = 80 V)。 增强模式:V_TH = 2.0 至 4.0 V (V_DS = 10 V, I_D = 1.0 mA)。应用:DC-DC 转换器。 开关稳压器

数字音频MOSFET专为D类音频放大器应用而设计。该MOSFET采用最新的处理技术,以实现每个硅面积的低导通电阻。此外,栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻经过优化,以改善D类音频放大器的关键性能因素,如效率、总谐波失真(THD)和电磁干扰(EMI)。该MOSFET的其他特性包括175°C的工作结温和重复雪崩能力。这些特性结合在一起,使该MOSFET成为D类音频放大器应用中高效、坚固且可靠的器件。

P沟道,-150V,-8.9A,0.295Ω@-10V

CSD17575Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、3.2mΩ、30V、N 沟道 NexFETTM 功率 MOSFET

这款HEXFET功率MOSFET专为等离子显示屏中的维持、能量回收和通路开关应用而设计。该MOSFET采用了最新的加工技术,以实现单位硅片面积的低导通电阻和低脉冲能量(EpuLsE)额定值。该MOSFET的其他特性包括175°C的工作结温和高重复峰值电流能力

CSD16340Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、5.5mΩ、25V、N 沟道 NexFETTM 功率 MOSFET

P- 沟道增强型场效应晶体管 (FET),采用 Trench MOSFET 技术,采用小型 SOT457 (SC- 74) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

特性:适用于高频开关和同步整流。 针对DC/DC转换器进行了技术优化。 出色的栅极电荷与导通电阻RDS(on)乘积(FOM)。 极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道,正常电平。 100%雪崩测试。 无铅电镀;符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。 扩大源极互连,提高焊点可靠性

采用分裂栅沟槽MOSFET技术。低导通电阻和品质因数。出色的稳定性和均匀性。湿度敏感度等级为1级。环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。无卤素

特性:TrenchFET功率MOSFET,低导通电阻,低压降。 扩展的VGS最大额定值:25V。 100% Rg和UIS测试。应用:电池、负载和适配器开关。 笔记本电脑

此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻,并针对卓越的开关性能进行了优化。

特性:TrenchFET功率MOSFET通过AEC-Q101认证。 100%进行Rg和UIS测试

N沟道 200V 24A

CSD18563Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、6.8mΩ、60V、N 沟道 NexFETTM 功率 MOSFET

N- 沟道增强型场效应晶体管 (FET),采用沟槽 MOSFET 技术,采用小型 SOT457 (SC- 74) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

N沟道,60V,210A,3mΩ@10V