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特性:改进的栅极、雪崩和动态dV/dt耐用性。 完全表征的电容和雪崩安全工作区。 增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。 无铅,符合RoHS标准。应用:有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用

CJAC90SN12采用屏蔽栅沟槽技术和设计,在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。

AGM015N10LL将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

N沟道,560V,20A,270mΩ@10V

耐压:100V 电流:399A N型 场效应管

特性:TrenchFET Gen II p沟道功率MOSFET。 行业领先的RDS(on)规格(截至2017年11月)。 100%进行Rg和UIS测试。应用:适配器和充电器开关。 负载开关

第三代功率MOSFET提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。TO-247AC封装适用于商业-工业应用,在较高功率水平下,TO-250AB器件无法使用。TO-247AC与早期的TO-218封装类似,但由于其隔离安装孔而更优越。它还在引脚之间提供了更大的爬电距离,以满足大多数安全规范的要求。

特性:N- 沟道,正常电平。 极低的导通电阻 RDS(on)。 出色的栅极电荷×RDS(on) 乘积(FOM)。 极低的反向恢复电荷 (Qrr)。 高雪崩能量额定值。 175°C 工作温度。 针对高频开关和同步整流进行了优化。 无铅镀铅;符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品。 根据 J-STD-020 标准为 MSL 1 级

1个P沟道 耐压:20V 电流:2.3A适用于电源开关和信号控制

1个N沟道 耐压:30V 电流:200mA适用于电源开关和信号控制

N沟道,60V,0.115A,7Ω@10V

公开页面暂无产品说明。

该款消费级N沟道MOSFET采用小巧SOT-23封装,适用于100V高压系统,额定电流为0.2A,特别适合于低功耗电子设备的电源开关和信号控制。具备卓越的低导通电阻与快速切换性能,有效提升能效并确保在各类应用中的稳定运行。

类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):39mΩ

特性:无铅产品。 表面贴装封装。 N沟道开关,低导通电阻。 低逻辑电平栅极驱动操作。 栅极具有ESD保护。应用:负载/电源开关。 接口开关

N沟道,30V,6.2A,17mΩ@10V,5.0A,1.5V@250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

P沟道,-20V,-2.8A,100mΩ@-4.5V

N沟道,30V,4A

特性:VDSS = -30V。 I0 = -1.9A。 RDS(on)@VGS = -10V < 190mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 330mΩ。 沟槽功率低压MOSFET技术。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用:电池供电系统。 固态继电器

特性:VDS = -30V,ID = -4.2A。 RDS(ON) < 100mΩ @ VGS = -2.5V。 RDS(ON) < 74mΩ @ VGS = -4.5V。 RDS(ON) < 59mΩ @ VGS = -10V。 高功率和电流处理能力。 表面贴装封装。应用:负载开关。 PWM应用