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带ESD保护,P沟道,-20V,-4.9A,30mΩ@-4.5V,-4.0A,-0.7V@250uA;应用领域:苹果数据线、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

1个P沟道 耐压:20V 电流:4A适用于电源开关和信号控制

特性:VDS = 30V,ID = 5.8A。 RDS(ON) < 59mΩ @ VGS = 2.5V。 RDS(ON) < 45mΩ @ VGS = 4.5V。 RDS(ON) < 41mΩ @ VGS = 10V。应用:负载/电源开关。 接口开关

特性:快速开关。 有环保型产品。 适用于1.5V栅极驱动应用。应用:笔记本负载开关。 网络

N沟道

Tphtei o4n0N05 是高单元密度的沟槽型 N 沟道 MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。40N05 符合 RoHS 标准和绿色产品要求,100% 经过耐雪崩能力(EAS)测试,具备完整的功能可靠性认证。

P沟道,-20V,-2.8A,100mΩ@-4.5V,功能与引脚同SI2301

P沟道,12V,4A,68mΩ@4.5V

特性:VDS = -30V,RDS(ON) ≤ 52mΩ @ VGS = -10V,ID = -4A。 低导通电阻。 适用于PWM和负载开关应用。 表面贴装器件

特性:使用先进沟槽技术,提供出色的RDS(ON)。 低栅极电荷。 可在低至4.5V的栅极电压下工作。 VDS = 30V。 ID = 8.5A。 RDS(ON) < 20mΩ(VGS = 10V)。应用:电池保护。 其他开关应用

特性:VDS = -20V,ID = -4A。 RDS(ON) < 36mΩ @ VGS = -4.5V。 RDS(ON) < 49mΩ @ VGS = -2.5V。 ESD Rating: 2500V HBM。应用:负载/电源开关。 接口开关

特性:1.8-V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 56 mΩ(最大值)(@VGS = 4.5 V)。 RDS(ON) = 72 mΩ(最大值)(@VGS = 2.5 V)。 RDS(ON) = 109 mΩ(最大值)(@VGS = 1.8 V)。应用:电源管理开关。 DC-DC 转换器

特性:低电压驱动(0.9V),适用于便携式设备。 驱动电路简单。 内置G-S保护二极管。应用:开关

特性:VDS = -30V,ID = -4.1A。 RDS(ON) < 55mΩ @ VGS = -10V。 RDS(ON) < 85mΩ @ VGS = -4.5V。 先进的沟槽技术。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 获得无铅产品。应用:PWM应用。 负载开关

使用先进沟槽技术,可提供出色的导通电阻、低栅极电荷,并能在低至5.5V的栅极电压下工作,采用小尺寸SOT323封装。可用于多种应用,包括负载开关、低电流逆变器和低电流DC-DC转换器。

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。

N沟道,100V,2A,234mΩ@10V;较BSS123具有更大的额定电流

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。

50N03 是高单元密度的沟槽型 N 沟道 MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。50N03 符合 RoHS 标准和绿色产品要求,100%经过 EAS 测试,具备完整的功能可靠性认证。