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使用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至0.5V的栅极电压下工作。该器件适用于负载开关应用。

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。

使用先进的沟槽技术,可提供出色的 RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至 0.5V 的栅极电压下工作。该器件适用于负载开关应用。

N沟道增强型场效应晶体管 (FET),采用沟槽MOSFET技术,采用无铅超小型OFN1006-3 (SOT883) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

N管/60V/20A/36mΩ(典型27mΩ)

特性:低阈值电压(VGS(th):0.5V-1.5V),适用于低电压应用。微型SOT-23表面贴装封装,节省电路板空间。BVSS前缀适用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用;符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),符合RoHS标准。应用:DC-DC转换器。便携式和电池供电产品的电源管理,如计算机、打印机、PCM/CIA卡、移动电话和无绳电话

特性:4.5V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 145 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V);RDS(ON) = 107 mΩ (max) (@VGS = 10 V)。应用:负载开关。 超高速开关

P沟道增强型MOS场效应晶体管,采用先进的沟槽技术和设计,提供出色的导通电阻和低栅极电荷。适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品为无铅产品。

应用:负载/电源开关。接口开关。超小型便携式电子设备的电池管理。逻辑电平转换

特性:40V,30A。 RDS(ON) < 9.3mΩ @VGS = 10V,典型值7.4mΩ。 RDS(ON) < 14.3mΩ @VGS = 4.5V,典型值10.4mΩ。 先进的沟槽技术。 获得无铅产品认证。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用:PWM应用。 负载开关

特性:VDS = 40V。 ID = 25A。 RDS(on)@VGS = 10V < 14mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 20mΩ。 沟槽功率低压MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用:DC-DC转换器。 负载开关

高单元密度沟槽式P沟道MOSFET,为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求,100%保证雪崩能量,具备完整功能可靠性。

AP2045Q系列采用创新设计和硅工艺技术,以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计人员提供了一种适用于广泛功率应用的高效器件。

AO4407-MS采用先进的沟槽技术,可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

特性:RDS(ON),VGS@10V,ID@16A < 9mΩ。 RDS(ON),VGS@4.5V,ID@8A < 13mΩ。 高开关速度。 改善的dv/dt能力。 低栅极电荷。 低反向传输电容。应用:负载/电源开关。 接口开关

使用先进的沟槽技术和设计,提供出色的导通电阻和低栅极电荷。适用于各种应用。

AGM60P20R将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

适用于各类中低电压、高效率开关应用。卓越的导通性能与低RDS(ON),使之成为充电器、LED驱动、DC/DC转换等领域的理想选择。

特性:领先的沟槽技术,实现低导通电阻(RDS(on))性能。 高效的系统性能。 低阈值电压。 静电放电(ESD)保护栅极。 小尺寸封装,尺寸为 1.6×1.6mm。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂,符合 RoHS 标准。应用:DC-DC 转换电路。 带电平转换的负载/电源开关

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