N沟道,40V,9A,16毫欧,
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采用先进的沟槽技术和设计,可提供出色的导通电阻和低栅极电荷,可用于多种应用。
新一代MOSFET旨在最小化导通电阻RDS(ON),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
特性:低导通电阻。 快速开关速度。 易于设计驱动电路。 易于并联
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应用于电源转换、电机驱动等场合,提供卓越的开关性能和稳定可靠的功率管理方案。
特性:低导通电阻。 快速开关速度。 驱动电路简单。 易于并联使用。 无铅镀铅;符合RoHS标准。应用:开关电源。 汽车电机驱动
特性:VDS = -30V,ΔD = -8A。 RDS(ON) < -22mΩ(VGS = 10V)。 RDS(ON) < -26mΩ(VGS = 4.5V)。应用:负载/电源开关。 接口开关
N沟道,40V,60A,6.9mΩ@10v
这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
特性:VDS = 60V,ID = 50A。 RDS(ON) < 20mΩ @ VGS = 10V。应用:Power Management in Notebook。 DC/DC Converter
中低压SGT MOSFET产品,N沟道,耐压:60V,电流:50A,Rdson:4.7mR
NCE3407AY采用先进的沟槽技术,可实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
CJAB35P03采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻(RDS(ON))。它可应用于各种不同的领域。
1个P沟道 耐压:30V 电流:7A
P沟道,-40V,-11A,13mΩ@-10V,-10A,-1.6V@-250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
该MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON)),同时保持出色的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
WSD4070DN33是高性能沟槽式N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷。WSD4070DN33符合RoHS标准和绿色产品要求,100%经过EAS测试,具备完整的功能可靠性认证。
N沟 600V 0.4A
HSBB6113是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET,能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。HSBB6113符合RoHS标准和绿色产品要求,100%保证具有抗雪崩能力,并通过了全功能可靠性认证。
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