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这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。

该MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(on)),同时保持出色的开关性能,适用于高效电源管理应用。

IRFZ44NS采用先进的沟槽技术,具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷,可应用于多种领域。

P沟道,-20V,-4.3A,54mΩ@-4.5V

WSD30L90DN56 是一款高性能沟槽 P 沟道 MOSFET,具有极高的单元密度,能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。WSD30L90DN56 符合 RoHS 标准和绿色产品要求,通过全功能可靠性认证,100% 保证符合 EAS 标准。

特性:60V / -40A,RDS(ON) = 19mΩ(典型值),VGS = -10V。 RDS(ON) = 25mΩ(典型值),VGS = -4.8V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无卤和环保器件(符合RoHS标准)。应用:直流/直流电源管理。 负载开关

该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻,同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。

CJAC40N04采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。

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N沟道,100V,1.6A,220mΩ@10V

N沟道,30V,23A,5.3mΩ@4.5V

N沟道 耐压:200V 电流:9A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):9A 功率(Pd):74W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):250mΩ@10V,4.5A

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特性:VDS = -20V。 ID = -16A。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 13mΩ。 RDS(on)@VGS = -2.5V < 16mΩ。 高功率和电流处理能力。 电压控制小信号开关。应用:电池保护。 负载开关

该款N沟道小信号MOSFET采用安森美专有的高单元密度DMOS技术生产,旨在最大程度减少导通电阻,同时提供稳固、可靠和快速的开关性能表现。它们可用于需要高达400mA DC的大多数应用,并可提供高达2A的脉冲电流,尤其适合低电压、低电流应用。

N沟道,40V,85A,2.4mΩ@10V

这些MOSFET采用先进的制造工艺,以实现单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势,再结合快速的开关速度和耐用的器件设计,为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件,可广泛应用于各种领域。

使用超级沟槽技术,该技术经过独特优化,可提供高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷Qg组合,导通和开关功率损耗均降至最低。适用于高频开关和同步整流。