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特性:分裂栅沟槽MOSFET技术。 出色的散热封装。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用:DC-DC转换器。 电源管理功能

N-Channel增强模式功率场效应晶体管采用SGT技术。这种先进技术经过特别设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

这款功率MOSFET是基于独特“单一特征尺寸”条形工艺的最新成果。由此制成的晶体管展现出极高的封装密度,具有低导通电阻、坚固的雪崩特性,且光刻对准步骤要求较低,因此具备出色的制造重复性。

适用于电源、转换器、功率电机控制和桥式电路中的低压高速开关应用。

特性:无卤。TrenchFET功率MOSFET。100% Rg测试。100% UIS测试。应用:液晶显示器背光源逆变器。全桥转换器

CJU80SN10采用屏蔽栅沟槽技术和设计,在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。

N 沟道增强型场效应晶体管 (FET),采用沟槽 MOSFET 技术,采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

特性:改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。 完全表征的电容和雪崩 SOA。 增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。 无铅,符合 RoHS 标准。应用:有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用

IRF9540NS采用先进的技术和设计,可提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。

40V/150A。RDS(ON)=1.4mΩ(典型值)(VGS = 10V)。RDS(ON)=2.0mΩ(典型值)(VGS = 4.5V)

NCEP4065QU采用超级沟槽技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于极低的Rds(ON)和Qg组合,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流

N沟道,30V,28A,1.9mΩ@10V

N沟道,40V,172A,2.5mΩ@10V

P沟道,-100V,-14A

N沟道MOSFET. VDS=75V, ID=60A. 导通电阻<8.5mR

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这是 SOT-223 封装中的 -60 V,P 沟道 MOSFET。 此器件非常坚固,拥有很大的安全运行区域。

此类 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的,特别适用于最大程度降低导通电阻,同时保持出色的开关性能。此类器件非常适用于要求线内低功率损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。

CJU65P06采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。

N沟道,100V,40A,12mΩ@10V