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应用于高频开关电源、有源功率因数校正。

N沟道,55V,44A,27mΩ@10V

特性:极低导通电阻:在4.5V栅源电压下。 低栅极电荷。 完全表征雪崩电压和电流。应用:笔记本处理器电源同步MOSFET。 隔离式DC-DC转换器的二次同步整流

使用屏蔽栅沟槽技术和设计,可提供出色的导通电阻和低栅极电荷,可用于多种应用。

此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术特别适用于降低导通电阻,提供出色的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。

N沟道

特性:TrenchFET功率MOSFET。 AEC-Q101合格。 100% Rg和UIS测试

P沟道增强型MOSFET,采用LFPAK56(Power SO8)表面贴装器件(SMD)塑料封装,使用沟槽MOSFET技术。本产品已按照AEC-Q101标准进行设计和认证,适用于高性能汽车应用,如反电池保护。

N沟道,60V,50A,6.7mΩ@10V

双N沟道,60V,8A,17.8mΩ@10V

此 P 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻,提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率系数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。

特性:用于汽车应用的功率MOSFET-N沟道。 增强模式。 正常电平-AEC Q101认证。 MSL1,最高260°C峰值回流温度。 175°C工作温度。 绿色产品(符合RoHS标准)。 100%雪崩测试

特性:针对高性能开关电源(SMPS)进行优化,例如同步整流。 100%经过雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

N沟道,40V,30A,12.5mΩ@4.5V

特性:使用CRM(CQ)先进的SkyMOS1技术。 极低的导通电阻RDS(on)。 出色的Qg × RDS(on)乘积(POM)。 根据JEDEC标准认证。应用:AC/DC快速充电器的同步整流。 电池管理

公开页面暂无产品说明。

N沟道600 V、0.310 Ohm典型值、11 A MDmesh DM2功率MOSFET,DPAK封装

CSD19531Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、6.4mΩ、100V、N 沟道 NexFETTM 功率 MOSFET

此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的,特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件适用于笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。

特性:针对高性能开关电源(SMPS)进行了优化,例如同步整流。 100%经过雪崩测试。 出色的热阻性能。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅镀铅,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准,无卤