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逻辑电平增强型 N 沟道 MOSFET,采用 LFPAK 封装。该产品设计并适用于广泛的工业、通信和家用设备。

该系列器件采用先进的沟槽栅超结技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。这款超结MOSFET符合行业对PFC、AC/DC电源转换和工业电源应用的AC-DC SMPS要求。

N沟道,500V,14A,400mΩ@10V

N沟道 250V 44A

CSD87350Q5D 采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、30V、N 沟道同步降压 NexFETTM 功率 MOSFETTM电源块

特性:针对高性能开关电源(SMPS)进行优化,例如同步整流。 100%雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道,逻辑电平。 无铅引脚镀层;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准,无卤素

特性:适用于高频开关。 针对 DC/DC 转换器进行了技术优化。 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积(FOM)。 N 沟道,逻辑电平。 100% 雪崩测试。 无铅电镀,符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤

WSD86P10DN56是一款高性能沟槽P沟道MOSFET,具有极高的单元密度,能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。WSD86P10DN56符合RoHS标准和绿色产品要求,100%经过雪崩能量耐量(EAS)测试,具备全面的可靠性认证。

特性:TrenchFET功率MOSFET PWM优化。100% Rg和UIS测试。应用:笔记本电脑的电池和负载开关

该系列器件采用超级沟槽II技术,经过独特优化,可提供高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷Qd组合,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件适用于高频开关和同步整流。

特性:无卤,符合 IEC 61249-2-21 标准。TrenchFET 功率 MOSFET

特性:按照IEC 61249-2-21定义为无卤产品。 TrenchFET功率MOSFET。 100%进行Rg和UIS测试。 符合RoHS指令2002/95/EC。应用:电机驱动

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1个N沟道 耐压:60V 电流:30A适用于电源开关和信号控制

MOSFET,小信号,SOT-23

特性:分裂栅沟槽MOSFET技术。出色的散热封装。用于低RDS(ON)的高密度单元设计。5V逻辑电平控制。HMB ESD保护2KV。应用:电池保护和负载开关。电压调节器模块

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带ESD防护,N沟道,60V,0.3A,1.85Ω@10V;应用领域:开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

类型: 1个N沟道 漏源电压(Vds): 60V 连续漏极电流(Id): 340mA 功率: 350mW

带ESD防护,N沟道,60V,0.3A,1.8Ω@10V;应用领域:开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。