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特性:高密单元设计,实现低RDS(ON)。电压控制小信号开关。坚固可靠。高饱和电流能力

NP2301FVR采用先进的沟槽技术,可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。

特性:领先的沟槽技术实现低导通电阻。低栅极电荷。应用:视频监视器。电源管理

特性:先进的沟槽工艺技术。 低阈值电压。 快速开关速度。 无卤无铅。 ESD保护高达2KV(HBM)。应用:便携式设备的负载开关。 电压控制小信号开关

30V P通道增强模式MOSFET

丝印A0SHB

P管/-20V/-3A/55mΩ(典型43mΩ)

应用:电池保护。负载开关。电源管理

特性:使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。 VDS(V) = 50V。 ID = 300mA (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 2.5Ω (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 3.5Ω (VGS = 2.5V)。 低导通电阻。 ESD等级:1.5KV HBM

1个N沟道 耐压:60V 电流:300mA适用于电源开关和信号控制

特性:TrenchFET功率MOSFET。 出色的导通电阻和最大直流电流能力。 高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)。应用:便携式设备负载开关。 DC/DC转换器

特性:低导通电阻。 高速开关。 驱动电路简单。 易于并联使用。应用:开关应用

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YJL2102W-F2-0000HF

此款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装,专为60V电压系统设计,提供高达3A的连续电流处理能力。具备卓越的低导通电阻与快速开关性能,广泛应用于充电器、电源转换等场景,实现高效、稳定的功率控制。

便携式设备,使用高电池密度,先进的沟槽技术,适合于低压应用以及低在线功率损耗

N沟道,60V,500mA,5Ω@10V

3400Q 是高单元密度的沟槽型 N 沟道 MOSFET,可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻(RDSON)和效率。3400Q 符合 RoHS 标准和绿色产品要求,且通过了全功能可靠性认证。

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