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N沟道,30V,0.1A,8Ω@4V

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结合了先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装,可提供极低的导通电阻。适用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。

N沟道,100V,5.0A,95mΩ@10V,2.5A,1.65V@250uA;应用领域:PLC控制器、POE交换机、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

N沟道,30V,5.8A

特性:快速开关。超低导通电阻。表面贴装器件

该MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,适用于高效电源管理应用。

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。

N管/30V/30A/13mΩ(典型9mΩ)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。

特性:AEC-Q101合格。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 1.05Ω(典型值)(@ VGS = 10V);RDS(ON) = 1.15Ω(典型值)(@ VGS = 5.0V);RDS(ON) = 1.2Ω(典型值)(@ VGS = 4.5V)。应用:高速开关

采用沟槽功率中压MOSFET技术。散热封装出色。高密度单元设计,实现低导通电阻。后缀为“Q”的产品符合AEC-Q101标准

N沟道,100V,5.0A,95mΩ@10V,2.5A,1.65V@250uA;应用领域:PLC控制器、POE交换机、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

特性:先进的沟槽技术。 出色的导通电阻和低栅极电荷。 无铅产品。应用:负载/电源开关。 接口

特性:N沟道:VDD = 30V,ID = 20A,RDS(ON) < 13mΩ @VGS = 10V,RDS(ON) < 19mΩ @VGS = 4.5V。 P沟道:VDD = -30V,ID = -20A,RDS(ON) < 23mΩ @VGS = -10V,RDS(ON) < 34mΩ @VGS = -4.5V。 无铅产品。 高功率和电流处理能力。 表面贴装封装。应用:PWM应用。 负载开关

特性:-30V,-12A。RDS(ON) < 14mΩ @VGS = -10V,典型值10.5mΩ。RDS(ON) < 19mΩ @VGS = -4.5V,典型值15mΩ。Trench DMOS功率MOSFET。快速开关。出色的导通电阻和最大直流电流能力。应用:DC/DC转换器。便携式设备的负载开关

应用:笔记本电脑。负载开关。网络。手持仪器

UTC UT3N06是一款N沟道功率MOSFET,具有极低的导通电阻。它效率高且性价比出色,广泛适用于商业和工业领域。