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特性:30V,40A,RDS(ON) < 9mΩ @ VGS = 10V,TP = 6.5mΩ;RDS(ON) < 14mΩ @ VGS = 4.5V,TP = 9.0mΩ。 先进的沟槽技术。 获得无铅产品认证。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用:PWM应用。 负载开关

新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。

双NPN,Vceo=50V,Ic=200mA

特性:30V, 75A。 RDS(ON) = 4.8mΩ (Typ.) @ Vss = 10V。 RDS(ON) = 6.5mΩ (Typ.) @ Vss = 4.5V。 先进沟槽技术。 提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用:负载开关PWM应用

新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通状态电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。

P沟道,-30V,-4.4A

N沟道,30V

双N沟道,20V,540mA

N沟道,30V,20A,10mΩ@10V,15A,1.6V@250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

特性:TrenchFET功率MOSFET。 快速开关。 出色的导通电阻和最大直流电流能力。应用:DC/DC转换器。 便携式设备的负载开关

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应用于电源转换、电机驱动等领域,提供出色的开关性能和稳定的功率管理方案。

NCE2003采用先进的沟槽技术,可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。这些互补型MOSFET可用于构成电平转换高端开关,还适用于众多其他应用。

P沟道,-30V,-6.5A,42毫欧,比NCE4435电流稍低。

N沟道,60V,3A,90mΩ@10V

便携式设备,使用高电池密度,先进的沟槽技术,适合于低压应用以及低在线功率损耗

特性:使用先进沟槽技术,提供出色的导通电阻。 超低栅极电荷,栅极额定电压为25V。 漏源电压:-30V。 漏极电流:-9A。 导通电阻:当栅源电压为10V时,小于15mΩ;当栅源电压为4.5V时,小于19mΩ

此类小型表面贴装 MOSFET 的低 RDS(on) 可确保最小的功率损耗和节能,使得这些器件适用于空间敏感型电源管理电路。典型应用为 DC-DC 转换器以及便携式和电池供电产品中的电源管理,如计算机、打印机、PCMCIA 卡、手机和无绳电话。

特性:沟槽功率MOSFET技术。 低导通电阻RDS(ON)。 ESD保护。 符合RoHS和无卤标准。 漏源电压VDS = -30V。 漏极电流ID = -18.5A(VGS = -10V)。 导通电阻RDS(ON) < 5.8mΩ(VGS = -10V)。 导通电阻RDS(ON) < 8.2mΩ(VGS = -4.5V)

这款MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,使其非常适合高效电源管理应用。