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应用:适配器,充电器、LED驱动、PFC电路

特性:结合了先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装,提供极低的RDS(ON)。 VDS(V) = 100V。 ID = 4.2A。 RDS(ON) < 79mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 94mΩ (VGS = 4.5V)。应用:升压转换器。 同步整流器,用于消费、电信、工业电源和LED背光

应用:替换数字晶体管。电平转换器。电源转换器电路。电池供电系统

这款MOSFET采用了独特的结构,将低导通电阻与快速开关速度的优势相结合,使其非常适合高效电源管理应用。

采用TrenchMOSTM1技术、塑料封装的N沟道增强型场效应晶体管。产品供应情况:SOT23封装的BST82。

此 P 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的,特别适用于最大程度降低导通电阻,同时保持低门极电荷,实现卓越的开关性能。此类器件非常适用于要求线内低功率损耗和快速开关的低压和电池供电应用。

WST3078是具有极高单元密度的高性能沟槽式N沟道和P沟道MOSFET,可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。WST3078符合RoHS标准和绿色产品要求,并通过了全功能可靠性认证。

这种先进的MOSFET技术经过特别设计,可降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。

特性:VDS =-30V, ID =-12A。 RD(S(ON))(Typ.) 9.5mΩ @ VGS =-10V。 RD(S(ON))(Typ.) 14mΩ @ VGS =-4.5V。应用:PWM应用。 负载开关

特性:N沟道耗尽模式。 dv/dt额定。 卷轴上带有VGS(th)指示器。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21无卤。 根据AEC Q101认证

这款MOSFET旨在最小化导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。

1个N沟道 耐压:650V 电流:7A适用于电源开关和信号控制

特性:AEC-Q101合格。 175°C MOSFET。 4.5V驱动。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 65mΩ(典型值)(@ VGS = 4.5V);RDS(ON) = 51mΩ(典型值)(@ VGS = 10V)。应用:电源管理开关。 DC-DC转换器

此类小型表面贴装 MOSFET 的 RDS(on) 可确保最小的功率损耗和节能,使得此类器件适用于空间敏感型电源管理电路。典型应用为 DC-DC 转换器以及便携式和电池供电产品中的电源管理,如计算机、打印机、PCMCIA 卡、手机和无绳电话。

这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC - Q101标准,有生产件批准程序(PPAP)支持,非常适合用于以下场景:电机控制、变压器驱动开关、直流 - 直流转换器、电源管理功能、不间断电源。

SuperSOT-3 N 沟道逻辑电平增强型电场效应晶体管是使用安森美半导体的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此类器件特别适用于笔记本电脑、手机、PCMCIA 卡和其他电池供电电路等低压应用,在此类应用中需要采用非常小形的表面贴装封装,实现快速开关和线路内低功率损耗。

NCE6020AI采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。

P沟道,-30V,11.4A,24mΩ@-10V

便携式设备,使用高电池密度,先进的沟槽技术,适合于低压应用以及低在线功率损耗

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