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特性:N沟道:VDS = 60V,ID = 6.0A,RDS(ON) < 35mΩ(VGS = 10V时)。 P沟道:VDS = -60V,ID = -5A,RDS(ON) < 95mΩ(VGS = -10V时)。 高功率和电流处理能力。 无铅产品。 表面贴装封装

该MOSFET旨在最小化导通电阻,同时保持出色的开关性能,非常适合高效电源管理应用。

N沟道 60V 13.5A

特性:VDS = 60V, ID = 3.5A。 RDS(ON) < 100mΩ @ VGS = 10V。 RDS(ON) < 120mΩ @ VGS = 4.5V。 高功率和电流处理能力。 获得无铅产品认证。 表面贴装封装。应用:负载/电源开关。 接口开关

WsD30L40DN33是高性能沟槽式P沟道MOSFET,具有极高的单元密度,能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷。WsD30L40DN33符合RoHS标准和绿色产品要求,100%经过全功能可靠性认证,保证每颗产品均合格。

特性:使用先进的沟槽技术和设计,提供出色的导通电阻和低栅极电荷。 VDS(V) = 60V。 ID = 50A (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 12mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 16mΩ (VGS = 4.5V)

特性:1.8 V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻:Δ:RDS(ON) = 13.5mΩ(最大值,VGS = -2.5V),RDS(ON) = 10mΩ(最大值,VGS = -4.5V)。应用:电源管理开关

新一代MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。

特性:VDS = -60V。 ID = -5A。 RDS(on)@VGS = -10V < 90mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 110mΩ。 高功率和电流处理能力。 电压控制小信号开关。应用:电池保护。 负载开关

CSD17313Q2 采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、32mΩ、30V、N 沟道 NexFETTM 功率 MOSFET

这新一代的高密度MOSFET采用了一种独特的结构,将低导通电阻和快速开关速度的优势相结合。这使其成为高效、低电压电源管理应用的理想选择。

将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,可提供极低的RDS(ON)。适用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。

CJQ13P04将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

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特性:N沟道:VDS = 60V,ID = 6.0A,RDS(ON) < 35mΩ @ VGS = 10V。 高功率和电流处理能力。 无铅产品。 表面贴装封装。 P沟道:VDS = -60V,ID = -5A,RDS(ON) < 95mΩ @ VGS = -10V

CJU50N06A采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻(Rps(on))。它可用于多种应用场景。

N+P沟道,20V,1.5A

新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。

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