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P沟道,150V/12A345mR

特性:通过定制引线框架进行了修改,具有增强的热特性和多芯片能力,适用于各种电源应用。 采用改进设计,可在应用中使用多个器件,显著减少电路板空间。 该封装适用于气相、红外或波峰焊接技术。 在典型的PCB安装应用中,功率耗散大于0.8W。 第五代技术。 超低导通电阻。 表面贴装。 动态dv/dt额定值。 快速开关。 无铅

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。

特性:低导通电阻。 高功率小尺寸封装 (HSMT8)。 无铅镀铅;符合 RoHS 标准。 无卤。 通过 AEC-Q101 认证。应用:开关

特性:TrenchFET功率MOSFET。应用:便携式设备的负载开关。 DC/DC转换器

这款MOSFET旨在最小化导通电阻,同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。

大电流SGT MOSFET产品

汽车用功率 MOSFET。60V,230 mΩ,单 N 沟道 逻辑电平,SOT?23 通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET,符合生产件批准程序 (PPAP),适用于汽车应用。

CSD17578Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、9.4mΩ、30V、N 沟道 NexFETTM 功率 MOSFET

YJD18GP10A-F1-0000HF

新一代互补MOSFET H桥,具有低导通电阻,可通过低栅极驱动实现。

P沟道,-20V,-0.78A,600mΩ@-4.5V

WSD4098DN56是一款高性能沟槽式双N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。WSD4098DN56符合RoHS标准和绿色产品要求,100%通过全功能可靠性认证,确保产品质量。

采用先进的沟槽技术和设计,提供优异的导通电阻和低栅极电荷,可用于多种应用。

使用先进沟槽技术和设计,提供低栅极电荷的低导通电阻RDS(ON)。可用于多种应用。

N- 沟道增强型场效应晶体管 (FET),采用沟槽 MOSFET 技术,封装在小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。

特性:60V VDS。 RDS(ON) = 5Ω

WSD60N10GDN56是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。WSD60N10GDN56符合RoHS标准和绿色产品要求,100%通过了雪崩能量耐量(EAS)测试,并经过全面的功能可靠性认证。

此 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的,特别适用于最大程度降低导通电阻,同时保持卓越的开关性能。此类器件非常适用于要求线内低功率损耗和快速开关的低压和电池供电应用。

CoolMOS 7 代平台是高压功率 MOSFET 的革命性技术,根据超结 (SJ) 原理设计。它结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性,例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的 ESD 能力。此外,极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且温度更低。