海量元器件型号，
快速搜索匹配。

NCE6080AK采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻(RDS(ON))。它可用于多种应用场景。

该器件是一款采用具备新型沟槽栅极结构的STripFETTM F6技术开发的N沟道功率MOSFET。由此制成的功率MOSFET在所有封装中均展现出极低的导通电阻RDS(on)。

特性:低栅极到漏极电荷,以减少开关损耗。 全面表征的电容,包括有效Coss,以简化设计。 全面表征的雪崩电压和电流。 无铅。应用:高频DC-DC转换器

HSU0139采用先进的沟槽式MOSFET技术,具有出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷,适用于各种其他应用。HSU0139符合RoHS标准和绿色产品要求,100%通过抗雪崩能力(EAS)测试,且经过全面的功能可靠性认证。

HSBA0139采用先进的沟槽MOSFET技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷,适用于各种其他应用。HSBA0139符合RoHS标准和绿色产品要求,100%保证具有耐雪崩能力,并通过了全功能可靠性认证。

该MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON)),同时保持出色的开关性能,非常适合高效电源管理应用。

NCEP4090GU采用超级沟槽技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于极低的Rds(ON)和Qg组合,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流

特性:TrenchFET第三代P沟道功率MOSFET。100%进行Rg测试。应用:适配器开关。负载开关

N沟道,20V,5A,31mΩ@4.5V

将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,可提供极低的导通电阻。该器件适用于负载开关和电池保护应用。

P沟道,-50V,-3.4A,170mΩ@4.5V

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。

特性:TrenchFET功率MOSFET。 热增强型PowerPAK SC-70封装。 小尺寸。 低导通电阻。 100% Rg测试。应用:负载开关,用于便携式和手持设备的1.2V电源线

N沟道,700V,12.5A,360mΩ@10V

该MOSFET旨在满足汽车应用的严格要求。它符合AEC-Q101标准,有PPAP支持,适用于背光电源管理功能和DC-DC转换器。

特性:TrenchFET功率MOSFET。低热阻PowerPAK封装,尺寸小,厚度仅0.75mm。100%进行Rg和UIS测试。应用:笔记本电脑和移动计算。适配器开关

NCE0140K2采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。

NCE8295AK采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻Rds(ON)。该器件适用于脉冲宽度调制(PWM)、负载开关和通用应用。

NCE60H10K采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻Rds(ON)。该器件适用于脉宽调制(PWM)、负载开关及通用应用。

此 N 沟道增强型功率 MOSFET 使用平面条纹和 DMOS 专属工艺生产。此先进 MOSFET 工艺适用于降低导通电阻,提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。