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第五代HEXFET采用先进的加工技术,以实现单位硅片面积尽可能低的导通电阻。这一优势,再结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和耐用的器件设计,为设计人员提供了一种极其高效的器件,可广泛应用于各种领域。SO - 8封装通过定制引线框架进行了改进,以增强热特性和多芯片集成能力,使其成为各种功率应用的理想选择

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特性:无卤。 TrenchFET功率MOSFET。 100%进行Rg测试。 100%进行UIS测试。应用:电池和负载开关。 笔记本电脑

大电流SGT MOSFET产品

N沟道,100V,97A,9mΩ@10V

NCEP0135AK采用超级沟槽技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻RDS(on)和栅极电荷Qg组合,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流应用

N沟道 60V 12A

WSF50P10是一款高性能沟槽P沟道MOSFET,具有极高的单元密度,能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。WSF50P10符合RoHS标准和绿色产品要求,100%经过雪崩能量(EAS)测试,具备完整的可靠性认证。

这款MOSFET旨在将导通电阻(RDS(ON))降至最低,并保持卓越的开关性能,使其成为高效电源管理应用的理想之选。

NCEP1545K采用超级沟槽技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。

N沟道60 V、3 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封装

N沟道,75V,130A,7.8mΩ@10V

功率 MOSFET,40 V,0.92 mΩ,300 A,单 N 沟道

N沟道,60V,80A,4mΩ@10V

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NCEP02515K采用超级沟槽技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流

采用分裂栅沟槽MOSFET技术。出色的散热封装。高密度单元设计,实现低导通电阻RDS(ON)。湿度敏感度等级1。环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。无卤

采用超级沟槽技术,经过独特优化,可提供高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷Qg组合,导通和开关功率损耗均降至最低。适用于高频开关和同步整流。

是一款具有逻辑电平输入的自保护低端智能场效应晶体管(IntelliFET MOSFET)。它集成了过温、过流、过压(有源钳位)和静电放电(ESD)保护的逻辑电平功能。ZXMS6004FFQ非常适合作为由3驱动的通用开关