海量元器件型号，
快速搜索匹配。

逻辑级增强模式 N 沟道 MOSFET,采用 LFPAK 封装。该产品设计并适用于广泛的工业、通信和家用设备。

N沟道,40V,10A,6.6mΩ@10V

P沟道,-55V,-30A

NCV8403 是一款三端子保护低压侧智能分立器件。保护功能包括过电流、高温、ESD 和用于过电压保护的集成式漏极-门极箝位。此器件提供保护,适用于严苛的汽车环境。

特性:改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。 完全表征的电容和雪崩 SOA。 增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。 无铅,符合 RoHS 标准。应用:有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用

P沟道,-150V,-13A,0.295Ω@-10V

该MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON)),同时保持出色的开关性能,非常适合高效电源管理应用。

特性:适用于高频开关和同步整流。 针对DC/DC转换器进行了优化。 出色的栅极电荷×导通电阻(FOM)乘积。 卓越的热阻。 N沟道,正常电平。 100%雪崩测试。 无铅电镀,符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 根据IEC61249-2-21标准无卤

N- 沟道增强型功率场效应晶体管采用SGT技术。这种先进技术经过专门设计,可最大限度地降低导通电阻,提供卓越的开关性能,并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

特性:TrenchFET功率MOSFET。 AEC-Q101合格。 100% Rg和UIS测试

特性:改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。 全特性电容和雪崩 SOA。 增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。 符合 RoHS 标准,无铅、无溴、无卤素。应用:有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用

特性:针对同步应用进行优化。 极低的导通电阻 RDS(on)。 100%雪崩测试。 卓越的热阻。 N 沟道。 无铅镀铅;符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 为无卤产品。 额定温度为 175°C

N沟道,400V,10A,550mΩ@10V

P沟道,30V,15A,7.2mΩ@10V

特性:针对直流-直流转换进行优化。 N沟道,正常电平。 出色的栅极电荷×导通电阻(RDS(on))乘积(FOM)。 低导通电阻RDS(on)。 150°C工作温度。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

该MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(on)),同时保持卓越的开关性能,适用于高效电源管理应用。

特性:非常低的栅极电荷,适用于高频应用。 为直流-直流转换进行优化。 N 沟道,正常电平。 出色的栅极电荷×导通电阻(RDS(on))乘积(FOM)。 极低的导通电阻 RDS(on)。 150°C工作温度。 无铅引脚镀层;符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 针对目标应用进行认证。 根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品

特性:TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试。应用:电源开关。 大电流应用中的负载开关

特性:快速开关。 低栅极电荷和导通电阻。 先进的分裂栅沟槽技术。 100%单脉冲雪崩能量测试。应用:PWM应用。 硬开关和高频电路

N沟道高性能低结电容,100V 380A 1.2mΩ@-10V