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P沟道,-55V,-31A,60mΩ@-10V

N沟道,600V,20A,165mΩ@10V

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻,提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用,如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

特性:N 沟道,正常电平。 出色的栅极电荷×导通电阻(RDS(on))乘积(FOM)。 极低的导通电阻 RDS(on)。 无铅镀铅;符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 针对目标应用进行了认证。 根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品。 适用于高频开关和同步整流

特性:适用于高频开关和同步整流。 针对DC/DC转换器进行了技术优化。 具有出色的栅极电荷×导通电阻(RDS(on))乘积(FOM)。 极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道,逻辑电平。 100%经过雪崩测试。 无铅镀层,符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 根据IEC61249-2-21标准无卤

N沟道60 V、0.0012 Ohm典型值、260 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封装

N沟道,250V,46A,38mΩ@10V

该MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。

特性:100V/370A,RDS(ON)=1.35mΩ (典型值),@VGS = 10V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无卤器件(符合RoHS标准)。应用:开关应用。 逆变器系统的电源管理

N沟道1200 V、1.65 Ohm典型值、6 A MDmesh K5功率MOSFET,TO-220封装

特性:N沟道,正常电平。 出色的栅极电荷×导通电阻(FOM)乘积。 极低的导通电阻。 175°C工作温度。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 适用于高频开关和同步整流。 根据IEC61249-2-21标准无卤

特性:极佳的栅极电荷与导通电阻乘积(FOM)。 极低的导通电阻 RDS(on)。 极低的反向恢复电荷 Qrr。 175°C工作温度。 无铅镀铅;符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。 非常适合高频开关和同步整流。 根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品

特性:TrenchFET功率MOSFET。 符合RoHS指令2002/95/EC

大电流SGT MOSFET产品

P沟道增强型MOSFET采用LFPAK56(Power SO8)表面贴装器件(SMD)塑料封装,使用沟槽MOSFET技术。该产品已按照AEC-Q101标准进行设计和鉴定,适用于高性能汽车应用,如电池反接保护。

N沟道,75V,350A,1.85mΩ@10V

P沟道,30V,100A,3mΩ@10V

特性:改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 坚固性。 完全表征的电容和雪崩 SOA。 增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。 无铅。应用:开关电源中的高效同步整流。 不间断电源

这些N沟道功率MOSFET采用创新的MDmesh技术开发,该技术将多漏极工艺与PowerMESH横向布局相结合。这些器件具有极低的导通电阻、高dv/dt和出色的雪崩特性。采用专有的条形技术,这些功率MOSFET的整体动态性能优于市场上的同类产品

AGM15T03LL将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。