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该系列器件采用先进的沟槽栅极超结技术和设计,可提供出色的导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷。这款超结MOSFET符合行业对功率因数校正(PFC)、AC/DC电源转换和工业电源应用的AC-DC开关电源(SMPS)要求。

N沟道,100V,90A,6.8mΩ@10V

该系列器件采用先进的沟槽栅极超结技术和设计,可提供出色的导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷。这款超结MOSFET符合行业对功率因数校正(PFC)、AC/DC电源转换和工业电源应用的AC-DC开关电源(SMPS)要求。

N沟道,400V,16A,300mΩ@10V

特性:N沟道,针对FOMoss进行优化。 极低导通电阻,可在175°C工作温度下使用。 无铅镀铅,符合RoHS标准。 按照JEDC11标准进行认证,适用于目标应用。 非常适合高频开关和同步整流

使用先进的沟槽栅极超结技术和设计,提供出色的导通电阻和低栅极电荷。该超结MOSFET符合行业对功率因数校正(PFC)、AC/DC电源转换和工业电源应用的AC-DC开关电源要求。

特性:出色的栅极电荷×RDS(on)乘积(FOM)。 极低的导通电阻RDS(on)。 极低的反向恢复电荷(Qrr)。 175°C工作温度。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 非常适合高频开关和同步整流。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

P沟道,-30V,-3.1A,0.053Ω@-10V

特性:TrenchFET功率MOSFET封装,低热阻

CoolIMOS是一项针对高压功率MOSFET的革命性技术,它依据超结(SJ)原理设计。IPW60R037CSFD是一款经过优化的器件,专门针对车载外电动汽车充电细分市场。由于其栅极电荷(Qg)低且开关性能得到改善,该器件在目标市场中具备最高效率

特性:适用于热插拔和电子保险丝应用。 极低的导通电阻RDS(on)。 宽安全工作区SOA。 N沟道,正常电平。 100%雪崩测试。 无铅电镀;符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行鉴定。 根据IEC61249-2-21标准无卤

设计用于频率范围为 136 至 941 MHz 的手持双向无线电应用。该器件的高增益、耐用性和宽带性能使其非常适合用于手持无线电设备中的大信号共源放大器应用。

特性:高密度单元设计,实现低导通电阻RDS(ON)。 电压控制小信号开关。 坚固可靠。 高饱和电流能力。 ESD保护。 适用于便携式设备的负载开关。 DC/DC转换器

这款是P沟道增强型MOSFET,VDS电压20V,ID电流2.3A。具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。

N管/20V/2.8A/55mΩ/(典型45mΩ)

小电流MOSFET产品,P沟道,ESD防护,耐压:-60V,电流:-0.2A, Rdson:3700mR

N沟道,20V,3.5A,45mΩ@4.5V;应用领域:DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。

类型: 1个N沟道 漏源电压(Vdss): 20V 连续漏极电流(Id): 2.5A 功率: 0.9W

这些微型表面贴装MOSFET可降低功率损耗并节约能源,非常适合用于小型电源管理电路。

带ESD防护,N沟道,20V,0.9A,150mΩ@4.5V;应用领域:开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。