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带ESD防护,N沟道,60V,0.3A,1.85Ω@10V;应用领域:开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

-30V,-4.2A,-10V内阻45-62MΩ

使用先进的沟槽技术,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。

类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.1A 功率(Pd):350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):60mΩ@10V,4.1A

使用先进的沟槽技术,可提供具有低栅极电荷的出色导通电阻。该器件适用于用作负载开关或在PWM应用中使用。

P沟道,-30V,-4A,50mΩ@-10V

French Power MV MOSFET技术。电压控制小信号开关。低输入电容。快速开关速度。低输入/输出泄漏

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DMP3056L - 7(ES)是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC - DC转换、电源开关以及充电电路

N沟道,20V,0.75A,380mΩ@4.5V

特性:先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计,实现超低导通电阻

工艺:沟槽,类型:N+N,漏源电压(Vdss) (V):20,阈值电压VGS:±12,Vth(V):0.4~1,导通电阻RDS(ON) (mΩ):18.5/23,连续漏极电流ID(A):6A

特性:VDS = -20V。 ID = 3A (VGS = -4V)。 RDS(ON) < 41mΩ (VGS = -4.5V)。 RDS(ON) < 53mΩ (VGS = -2.5V)。 RDS(ON) < 65mΩ (VGS = -1.8V)。 ESD 保护。应用:用作负载开关。 PWM 应用

这款额定电压为 2.5V 的 N 沟道 MOSFET 采用先进的 PowerTrench 工艺生产,该工艺经过特别定制,可最大程度降低导通电阻,同时保持较低的栅极电荷,从而实现卓越的开关性能。

N 沟道 MOSFET,小信号,60V,310mA,2.5 Ω 沟槽,N 沟道, SOT23

带ESD保护,N沟道,20V,7.5A,13mΩ@4.5V,6.5A,0.7V@250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

1个P沟道 耐压:30V 电流:4.1A适用于电源开关和信号控制

先进的沟槽工艺技术,高密度单元设计,实现超低导通电阻,采用SOT-23-3L表面贴装封装。

类型:P沟道 漏源电压(Vdss):12V 连续漏极电流(Id):4.1A 功率(Pd):350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):90mΩ@1.8V,2A

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