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特性:TrenchFET功率MOSFET。 超低导通电阻。 可提供卷带包装。应用:便携式设备的负载开关。 DC/DC转换器

特性:VDS = 30V,ID = 3A。 RDS(ON) < 95mΩ @ VGS = 4.5V。 RDS(ON) < 75mΩ @ VGS = 10V。应用:负载开关。 PWM应用

特性:先进的沟槽工艺技术。 用于超低导通电阻的高密度单元设计。应用:便携式设备的负载开关。 DC/DC转换器

N沟道,30V,100mA

特性:AEC-Q101合格。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 1.05Ω(典型值)(@ VGS = 10V);RDS(ON) = 1.15Ω(典型值)(@ VGS = 5.0V);RDS(ON) = 1.2Ω(典型值)(@ VGS = 4.5V)。应用:高速开关

N沟道增强型场效应晶体管(FET),采用沟槽MOSFET技术,采用小型SOT23(TO-236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装。

公开页面暂无产品说明。

该款消费级N沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23-3L封装,额定电压高达60V,最大连续电流为4.5A,适用于各种电源转换和电子设备开关控制应用。其卓越的性能表现及小巧体积,有效提升系统效率,是电路设计的理想选择。

ES3N06G-AB3-R 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

N沟道增强型场效应晶体管 (FET),采用沟槽MOSFET技术,封装于无引脚超小型OFN1006-3 (SOT883) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。

这是一款互补 20 V 小信号 MOSFET,采用 1.0 x 1.0 mm SOT-963 封装。

特性:100% EAS保证。 超低栅极电荷。 提供环保器件。 出色的CdV/dt效应抑制。 先进的高单元密度沟槽技术。应用:PWM应用。 负载开关

此 N 沟道增强型 MOSFET 是使用专利的高单元密度 DMOS 技术生产的。此产品可最大程度地降低导通电阻,同时具备强固、可靠和快速开关性能。BSS123 尤其适合低电压、低电流应用,如小型伺服电机控制、功率 MOSFET 门极驱动器和其他开关应用。

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。

P沟道,-40V,-4.8A,47mΩ@-10v

此 20V N 沟道 MOSFET 使用高压 PowerTrench 工艺。此产品非常适用于电源管理应用。

SOP-8 塑封封装 P 沟道MOS 场效应管。

特性:RDS(ON) ≤ 1.4Ω,Vgs@-10V。 RDS(ON) ≤ 1.5Ω,Vgs@-4.5V。 快速开关速度。 低RDS(on)沟槽技术。 产品材料符合RoHS要求且无卤。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用;符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力。应用:PoE电源设备。 PoE受电设备

特性:VDS = 100 V。 ID = 3 A。 RDS(on)@VGS = 10 V < 160 mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5 V < 170 mΩ。 雪崩能量测试。 快速开关速度。应用:电源开关应用。 硬开关和高频电路

特性:VDS = 20V, b = 0.8A。RDS(ON) < 250mΩ @ VGS = 4.5V。RDS(ON) < 300mΩ @ VGS = 2.5V。ESD保护。应用:负载/电源开关。接口开关