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特性:40V,20A。RDS(ON) <22mΩ @VGS=10V。RDS(ON) <30mΩ @VGS=4.5V。Trench DMOS功率MOSFET。快速开关。出色的导通电阻和最大直流电流能力。应用:DC/DC转换器。便携式设备的负载开关

采用沟槽式MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管(FET),采用非常小的SOT323(SC70)表面贴装器件(SMD)塑料封装。

P沟道 -20V -3.4A

应用:负载/电源开关。接口开关。逻辑电平转换

特性:AEC-Q101认证。 4V栅极驱动电压。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 400mΩ(最大值)(@VGS = -4.0V),RDS(ON) = 300mΩ(最大值)(@VGS = -10V)。应用:电源管理开关

N沟道,100V,8A,100mΩ@10v

特性:VDS(V)=600V。 ID = 2A。 RDS(ON)=4.5Ω

N沟道,60V,3A,105毫欧。

使用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻、低栅极电荷,并且可以在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

WST2339 是一款具有极高单元密度的高性能沟槽 P 沟道 MOSFET,能为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻(RDS(ON))和栅极电荷。WST2339 符合 RoHS 标准和绿色产品要求,并通过了全面的功能可靠性认证。

特性:N-Channel VDD=40V, ID=16A,RDS ON < 22mΩ @VGS = 10V,RDS ON < 30mΩ @VGS = 4.5V。P-Channel VDD=40V, ID=-16A,RDS ON < 54mΩ @VGS = -10V,RDS ON < 70mΩ @VGS = -4.5V。无铅产品。高功率和电流处理能力。表面贴装封装。应用:PWM应用。负载开关

2个P沟道,-30V,-10.0A,15mΩ@-10V,-8.0A,-1.5V@-250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

特性:N沟道,5V逻辑电平控制。 增强模式。 在VDS = 4.5V时具有非常低的导通电阻。 快速开关。 100%雪崩测试。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准

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N沟道,100V,7.0A,90.0mΩ@10V,3.5A,1.65V@250uA;应用领域:POE交换机、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

特性:20V, -60A。 RDS(ON) < 7.0mΩ @ VGS = -4.5V。 RDS(ON) < 9.0mΩ @ VGS = -2.5V。 先进的沟槽技术。 获得无铅产品认证。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用:PWM应用。 负载开关

公开页面暂无产品说明。

30N10是高性能沟槽N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。30N10符合RoHS和绿色产品要求,100%通过了雪崩能量(EAS)测试,并具备经认证的全功能可靠性。

CJAB35N03采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻(RDS(ON))。它可用于多种应用场景。

这种非常高密度的工艺专门设计用于最小化导通电阻,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。