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这款P沟道增强型功率场效应晶体管采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造,该技术专门用于最小化导通电阻。此器件特别适用于低压应用,如便携式设备、电源管理及其他电池供电电路,且在超小外形的表面贴装封装中需要低在线功率损耗。

应用:笔记本电脑。负载开关。网络设备。手持仪器

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。

P-ch -30V -60A

MOSFET,小信号,500 mA,60 V

特性:VDS = 40V,ID = 6A。 RDS(ON) < 30mΩ @ VGS = 10V。应用:电池保护。 负载开关

特性:VDS = 40V,ID = 10A。 RDS(ON) < 19mΩ @ VGS=10V。应用:电池保护。 负载开关

这款N型场效应管具备60A的电流承载能力,能在40V电压下稳定工作。其内阻典型值为7.7mΩ,VGS为20V。适用于要求高电流、低内阻的应用场景,如电源管理、负载开关等,确保系统高效稳定运行。

N沟道,30V/50A,11毫欧

特性:N沟道:VDD = 30V,ID = 36A,当VGS = 10V时,RDS(ON) < 13mΩ;当VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 19mΩ。 P沟道:VDD = -30V,ID = -25A,当VGS = -10V时,RDS(ON) < 23mΩ;当VGS = -4.5V时,RDS(ON) < 34mΩ。 获得无铅产品认证。 高功率和电流处理能力。 表面贴装封装。应用:PWM应用。 负载开关

特性:N通道。耗尽模式。dv/dt额定。卷盘上带有VGS(th)指示器。无铅引脚镀层,符合RoHS标准。根据AEC Q101认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

WSP6946是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。WSP6946符合RoHS标准和绿色产品要求,100%经过抗雪崩能量(EAS)测试,且通过了全功能可靠性认证。

1个N沟道 耐压:650V 电流:5A适用于电源开关和信号控制

本款消费级N沟道MOSFET采用紧凑型DFN3X3-8L封装,具有出色的功率密度。额定电压60V,连续电流高达40A,适用于小型化、高性能电源转换、负载开关及电池管理系统设计,实现空间节省与高效能的完美结合。

采用SC - 70封装的双通道LITTLE FOOT功率MOSFET

N沟道,50V,0.2A,3.5Ω@10V

这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC - Q101标准,有生产件批准程序(PPAP)支持,非常适合用于以下场景:背光照明、电源管理功能、DC - DC转换器、电机控制。

N沟道,30V,380mA,13Ω@2.5V

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P沟道,-30V,-8A,32mΩ@-10V