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N沟道/100V/50A

CSD16301Q2 采用 2mm x 2mm SON 封装的单通道、29mΩ、25V、N 沟道 NexFETTM 功率 MOSFET

特性:N-Channel:VDS = 60V,ID = 6.0A,RDS(ON) < 35mΩ @ VGS = 10V。 高功率和电流处理能力。 获得无铅产品认证。 表面贴装封装。 P-Channel:VDS = -60V,ID = -5A,RDS(ON) < 95mΩ @ VGS = -10V

特性:VDS(V)=-40V。 RDS(ON) < 18mΩ(VGS =-10V)。 RDS(ON) < 29mΩ(VGS =-4.5V)。应用:负载开关。 负载点电源

特性:4V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 20mΩ(最大值)(VGS = -10V)。 RDS(ON) = 28mΩ(最大值)(VGS = -4.5V)。 RDS(ON) = 32mΩ(最大值)(VGS = -4.0V)。应用:电源管理开关

此场效应管为N+N型,电流8.5A,可满足一定功率需求。电压30V,适应多种常见电路环境。内阻典型值15mR,较低内阻有助于减少能量损耗。VGS为20V。适用于消费电子产品,可在电子设备中实现稳定的电流控制和电压调节。

特性:30V/-8.9A。 RDS(ON) = 21mΩ (max.) @ VGS = -10V。 RDS(ON) = 32mΩ (max.) @ VGS = -4.5V。 可靠耐用。 提供无铅和环保设备(符合 RoHS 标准)。应用:笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统的电源管理

P沟道,-60V,-28A,27mΩ@-10.0V,-20A,-1.6V@-250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

HSU4103是高单元密度沟槽型P沟道MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。HSU4103符合RoHS标准和绿色产品要求,100%经过了雪崩能量耐量(EAS)测试,且具备全面的功能可靠性认证。

WsD3056DN33是一款高性能沟槽式双N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻Rps(on)和栅极电荷。WsD3056DN33符合RoHS标准和绿色产品要求,100%通过功能可靠性认证,确保产品质量。

NCE4012S采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷条件下实现出色的导通电阻(RDS(ON))。它可应用于多种领域。

P沟道,250V/0.7A4R

N沟道,30V,6.3A,0.04Ω@10V

特性:无卤,符合 IEC 61249-2-21 定义。 TrenchFET 功率 MOSFET。 100% Rg 和 0H3 测试。 符合 RoHS 指令 2002/95/EC。应用:笔记本系统电源。 低电流 DC/DC

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。

特性:VDS = 30 V。 ID = 9 A。 RDS(on)@VGS = 10 V < 14.3 mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5 V < 22.6 mΩ。 高功率和电流处理能力。 电压控制小信号开关。应用:电源管理开关。 DC/DC转换器

为高效电源开关、电池保护和负载管理应用设计,具备低导通电阻及卓越的开关性能,是各类中低压电路的理想选择,有效提升系统能效并确保稳定运行。

N沟道,60V,50A,10.5mΩ@10V

采用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于负载开关或PWM应用。

使用先进的沟槽技术MOSFET,可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于H桥、逆变器和其他应用。