NCE0110K采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
NCE(无锡新洁能)TO-252-2L
二极管 / 晶体管场效应管(MOSFET)
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P沟道,-100V,-6.6A,480mΩ@-10V
Infineon(英飞凌)DPAK(TO-252AA)
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N沟道.30V/66A.5.5mΩ.功能与脚位等同AON7534
WINSOK(微硕)DFN-8(3.3x3.3)
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NCE55P05S采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的 $\mathsf{R_{DS(ON)}}$。它可用于多种应用场景。
NCE(无锡新洁能)SOP-8
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使用先进的沟槽技术和设计,可提供出色的导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷,可用于多种应用。
NCE(无锡新洁能)SOP-8
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应用于便携式设备负载开关。
JSMSEMI(杰盛微)SOT-223
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YJG30N06A-F1-0100HF
YANGJIE(扬杰)PDFN5060-8L
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特性:100V,60A。 RDS(ON) < 9.5mΩ @VGS = 10V (典型值: 7.5mΩ)。 RDS(ON) < 13mΩ @VGS = 4.5V (典型值: 10.5mΩ)。 分裂栅沟槽技术。 获得无铅产品认证。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用:PWM应用。 负载开关
ALLPOWER(铨力)TO-252
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特性:VDS = -60V, ID = -14A。 RDS(ON) 88mΩ @ VGS = -10V (Typ)。 RDS(ON) 120mΩ @ VGS = -4.5V (Typ)。应用:负载/电源开关。 接口开关
TECH PUBLIC(台舟)TO-252
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N沟道,800V,250mA,16Ω@10V
ST(意法半导体)SOT-223
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特性:VDS(V)=-60V。 RDS(ON)<15mΩ(VGS =-10V)。 RDS(ON)<20mΩ(VGS =-4.5V)。应用:负载开关
UMW(友台半导体)TO-252
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特性:TrenchFET功率MOSFET。AEC-Q101合格。100% Rg和UIS测试
VISHAY(威世)SOT-23
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此 P 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的,特别适用于最大程度降低导通电阻,同时保持低门极电荷,实现卓越的开关性能。此类器件非常适用于便携式电子应用:负载开关和电源管理、电池充电电路和 DC/DC 转换。
onsemi(安森美)SOT-23
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这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
TECH PUBLIC(台舟)TO-252
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使用先进的沟槽技术和设计,可提供出色的导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷。可用于多种应用。
NCE(无锡新洁能)DFN5x6-8L
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N沟道,60V,2.3A,0.15Ω@10V
VISHAY(威世)SOT-23
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RF用途,N沟道,10V,0.5A
TOSHIBA(东芝)SC-62
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采用沟槽式MOSFET技术的双N沟道增强型场效应晶体管(FET),采用超小型SOT666表面贴装器件(SMD)塑料封装。
Nexperia(安世)SOT-666
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WSD30100DN56是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。WSD30100DN56符合RoHS标准和绿色产品要求,100%通过全功能可靠性测试,确保产品质量。
WINSOK(微硕)DFN5X6-8
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P沟道,200V/3A2.4R
HUASHUO(华朔)SOT-223
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