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这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。

中低压MOSFET产品,P沟道,耐压:-60V,电流:-70A,RDSON:11mR

功率 MOSFET,30 V,136A,1.7 mΩ,单 N 沟道,SO?8FL

N沟道,55V,4.9A,50mΩ@10V

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。

此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 Power Trench 工艺生产的,特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件适用于笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。

特性:TrenchFET功率MOSFET。 低热阻。 PowerPAK封装,尺寸小,厚度为1.07mm。 100%进行Rg和UIS测试。应用:负载开关。 适配器开关

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STD5N20L采用了意法半导体(ST)专有STripFET技术的最新先进设计规则。它适用于要求最为严苛的直流电机控制和照明应用。

CSD17581Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.2mΩ、30V、N 沟道 NexFETTM 功率 MOSFET

Configuration Dual Type N-Ch VDS(V) 60 VGS(V) 20 ID(A)Max. 45 VGS(th)(v) 1.5 RDS(ON)(m?)@4.228V 20 Qg(nC)@4.5V 17.6 QgS(nC) 2.7 Qgd(nC) 6.3 Ciss(pF) 945 Coss(pF) 275 Crss(pF) 26

特性:无卤素,符合IEC 61249-2-21定义。 TrenchFET功率MOSFET。 100%进行Rg和UIS测试。 符合RoHS指令2002/95/EC。应用:笔记本系统电源。 低电流DC/DC

P沟道,-55V,-18A,110mΩ@10V

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AON6407-MS采用先进的沟槽技术,可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

特性:P沟道增强模式。 雪崩额定。 dv/dt额定。 适用于快速开关降压转换器。 无铅引脚镀层;符合RoHS标准。 根据AEC Q101进行认证。 根据IEC 61249-2-21标准为无卤产品

N沟道,240V,350mA,6Ω@10V

特性:无卤。 TrenchFET第三代功率MOSFET。 100% Rg测试。 100% UIS测试。应用:DC/DC转换。 系统电源

P沟道,-20V,-6A,39mΩ@-4.5V

特性:使用CRM(CQ)先进的沟槽MOS技术。 极低的导通电阻RDS(on)。 出色的Qg × RDS(on)乘积(品质因数)。 符合JEDEC标准。应用:电机控制和驱动。 电池管理