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特性:低导通电阻(RDS(on))。 快速开关。 这些器件无铅且符合RoHS标准。应用:负载开关。 DC电机控制

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。

NCE6045XG采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 $\mathsf{R_{DS(ON)}}$。它可用于多种应用场景。

特性:100V/120A,RDS(ON)=4.8 mΩ(典型值)@VGS = 10V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 有符合RoHS标准的无卤器件。应用:开关应用。 逆变器系统电源管理

特性:改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性。 完全表征的电容和雪崩安全工作区。 增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。 无铅。 符合 RoHS 标准,无铅、无溴和无卤素。应用:有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用

AGM60P90A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

NTD2955T4G Pin to PIN 标准参数Vth:3.0

该系列器件采用先进的沟槽栅超级结技术和设计,可提供出色的导通电阻(RDS(ON)),且栅极电荷较低。这款超级结MOSFET符合行业对功率因数校正(PFC)、AC/DC电源转换和工业电源应用的AC-DC开关电源(SMPS)要求。

NCEP25N10AK采用了超级沟槽II技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷Qg组合,传导和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流应用

N沟道,200V,5A,600mΩ@10V

第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。TO-220AB封装在功率耗散水平约为50W的所有商业-工业应用中普遍受到青睐。TO-220AB的低热阻和低封装成本使其在整个行业中得到广泛认可。

该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。

特性:VDS = -40V。 ID = -50A。 RDS(ON) < -13mΩ @ VGS = -10V (Type:9.0mΩ)。应用:负载/电源开关。 接口开关

NCE609采用先进的沟槽技术,具备出色的导通电阻Ros(on)和低栅极电荷。这些互补型MOSFET可用于构成电平转换高端开关,也适用于众多其他应用。

特性:100V/120A,RDS(ON)=4.8 mΩ(典型值)@VGS = 10V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 有符合RoHS标准的无卤器件。应用:开关应用。 逆变器系统电源管理

特性:易于控制栅极开关。 低漏源导通电阻:RD(ON) = 0.62Ω(典型值)。 增强模式:VHA = 2 至 4V(VDS = 10V,ID = 1mA)。应用:开关电源

第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。DPAK专为使用气相、红外或波峰焊技术进行表面贴装而设计。直插式版本(IRFU、SiHFU系列)适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中,功率耗散水平可达1.5W。

此 P 沟道 MOSFET 是使用 PowerTrench 专属技术生产的,可提供低 rDS(on) 和优化的 BVdss 能力,为应用带来卓越性能优势。

这款高性能N沟道消费级MOSFET采用紧凑型DFN5X6-8L封装,专为处理高电压、大电流应用设计。器件具有60V额定电压和高达125A的连续电流能力,尤其适用于电池管理系统、电源转换器及大功率电机驱动场合,提供卓越的导通性能与散热效率,是现代高效电子设备的核心组件。

特性:无卤。 TrenchFET功率MOSFET。 100% UIS测试。应用:负载开关。 笔记本电脑