此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用安森美半导体的平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术特别适用于降低导通电阻,提供出色的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
onsemi(安森美)SOT-223
二极管 / 晶体管场效应管(MOSFET)
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AGM042N10D将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
AGMSEMI(芯控源)TO-252
二极管 / 晶体管场效应管(MOSFET)
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特性:TrenchFET功率MOSFET。 AEC-Q101合格。 100% Rg和UIS测试
VISHAY(威世)SC-70-6L
二极管 / 晶体管场效应管(MOSFET)
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AOSDFN-8(3x3)
二极管 / 晶体管场效应管(MOSFET)
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VC:10V@5A,Cj_Typ:15pF,丝印 PB
R+O(宏嘉诚)DFN1006-2L
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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SOT-23封装双路非对称ESD防护器件(7Vto-12V,IO to GND为7V防护,GND to IO为12V防护 ),VC:16V@12A;Cj_Typ:45pF;丝印:7AM
R+O(宏嘉诚)SOT-23
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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SMF系列专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
R+O(宏嘉诚)SOD-123FL
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
R+O(宏嘉诚)DO-214AA(SMB)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子
MDD(辰达半导体)SOT-23
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子
MDD(辰达半导体)SOD-323
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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SMxx系列专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电(ESD)敏感的设备,如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用场景。这些器件非常适合电路板空间有限的情况
MDD(辰达半导体)SOT-23
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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SDxxC系列专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电(ESD)敏感的设备,如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备及其他应用场景。这些器件非常适合印刷电路板空间有限的情况
MDD(辰达半导体)SOD-323
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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SMF系列专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
R+O(宏嘉诚)SOD-123FL
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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SMF系列专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
R+O(宏嘉诚)SOD-123FL
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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SMF系列专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
R+O(宏嘉诚)SOD-123FL
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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专门设计用于保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。
R+O(宏嘉诚)DO-214AC(SMA)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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8KV接触, 15KV空隙放电
Nexperia(安世)SOT-23
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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VC:12V@8A,Cj_Typ:12.5pF,丝印:3C
R+O(宏嘉诚)SOD-523
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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VC:14V@20A,CJ_Max:200pF,丝印:D03
R+O(宏嘉诚)SOD-323
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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VC:13.5V@4A,Cj_Typ:1.0pF,丝印 V05
R+O(宏嘉诚)SOT-23-6L
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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