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SMF系列专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
R+O(宏嘉诚)SOD-123FL
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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VRWM:7V/12V, IPP:7A, CJ:75pF
TECH PUBLIC(台舟)SOT-23
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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BORN(伯恩半导体)0402
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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特性:0603inch/1608mm 引脚尺寸。 是高频、低电压应用的理想 ESD 保护器件。 超过 IEC 61000-4-2 测试要求。 超低电容(典型值 1.5pF)。 极低泄漏电流。 快速响应时间。应用:高速数据端口(USB 2.0、IEEE 1394)。 计算机及外设(手机、PDA、HDTV、DVD 播放器)
BORN(伯恩半导体)0603
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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VRWM:5V, IPP:3A, CJ:0.8pF
TECH PUBLIC(台舟)SOT-23-6
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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SMF系列专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
R+O(宏嘉诚)SOD-123FL
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VRWM:5V, IPP:30A, CJ:35pF
TECH PUBLIC(台舟)SOD-323
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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VBR=26.2V,Vc=40V,Ipp=8A
onsemi(安森美)SOT-23
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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24V 双路 30KV ESD防护二极管,特别适用CAN总线的过压保护
Nexperia(安世)SOT-23
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USB 2.0高速接口的ESD保护
ST(意法半导体)SOT-23-6L
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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VC:12V@8A,CJ_Max:15pF,丝印:AG
R+O(宏嘉诚)SOD-323
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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SDxx 系列专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电(ESD)敏感的设备,如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备及其他应用场景。这些器件非常适合电路板空间有限的情况
MDD(辰达半导体)SOD-323
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特性:250W峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 接触 ±30kV,空气 ±30kV。应用:数据线。 自动取款机
UMW(友台半导体)SOT-23
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ESD5Z系列旨在保护电压敏感元件免受静电放电(ESD)和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间,使这些元件成为电路板空间有限设计中ESD保护的理想选择。由于其尺寸小,适用于手机、便携式设备、数码相机、电源和许多其他便携式应用。
onsemi(安森美)SOD-523
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TPD4E02B04 适用于 USB 3.0、HDMI 2.0 和高速信号的四路 0.25pF、±3.6V、±12kV ESD 保护二极管
TI(德州仪器)USON-10(1x2.5)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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SM712 TVS二极管阵列旨在保护具有非对称工作电压(-7V至12V)的RS - 485应用免受静电放电(ESD)、电快速瞬变(EFT)和雷电感应浪涌的损坏。SM712能够承受高于IEC 61000 - 4 - 2国际标准规定的最大电平的反复ESD冲击,且性能不会下降,还能以极低的钳位电压安全耗散高达19A的8/20μs感应浪涌电流(IEC61000 - 4 - 5第二版)。
Littelfuse(美国力特)SOT-23
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VC:10V@8A,Cj_Typ:15pF,丝印 A5
R+O(宏嘉诚)DFN0603-2
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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特性:75瓦峰值脉冲功率(tp = 8/20μs)。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 ±25kV接触 ±25kV空气。应用:基于微处理器的设备。 个人数字助理(PDA)
BORN(伯恩半导体)SOD-523
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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SMF系列专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
R+O(宏嘉诚)SOD-123FL
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SMF系列专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
R+O(宏嘉诚)SOD-123FL
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