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VRWM:5V, IPP:4.5A, CJ:0.8pF

专门设计用于保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。

TPD1E10B06 采用 0402 和 SOD-523 封装的 12pF、±5.5V、±30kV ESD 保护二极管

特性:适用于表面贴装应用,以优化电路板空间。 薄型封装。 内置应力消除。 玻璃钝化结。 低电感。 出色的钳位能力。应用:I/O接口。 AC/DC电源

专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。

VBR=6.8V, Vc=10.5V, Ipp=58.1A 双向

专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。

专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。

TPD4E05U06 适用于 USB、HDMI 和高速接口的四通道 0.5pF、5.5V、±12kV ESD 保护二极管

CDSOT23-SM712器件可为数据端口提供静电放电(ESD)、电快速瞬变脉冲群(EFT)和浪涌保护,满足IEC 61000-4-2(ESD)、IEC 61000-4-4(EFT)和IEC 61000-4-5(浪涌)标准要求。该瞬态电压抑制器阵列包含两个瞬态电压抑制(TVS)二极管,工作峰值反向电压分别为7 V或12 V,最小击穿电压分别为7.5 V或13.3 V。采用SOT23封装的器件可直接安装在符合行业标准的SOT23焊盘上。芯片二极管符合JEDEC标准,便于使用标准贴装设备进行操作,扁平结构可减少滚动。

ESD5451N是一款DFN1006 - 2L封装双向TVS。满足IEC61000 - 4 - 2标准±30 kV(接触放电和空气放电)的ESD保护,8/20μs浪涌6A,Vc_12V,结电容20pF,产品无铅无卤符合RoHS/Reach标准。为保护连接到数据线和控制线的敏感电子元件而设计,可防止这些元件受到ESD(静电放电)、EFT(电快速瞬变)和雷击引起的过应力影响。

DFN1006-2L封装, 3.3V单路双向低容ESD静电防护器件,IPP_8.5A,VC_8.5V,Cj_10pF,ESD 30KV;适用于音频/视频/通讯/个人数码产品防护。

VC:15V@8A,CJ_Max:20pF,丝印:5XB

SMF系列专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。

SMF系列专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。

SMF系列专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。

专门设计用于保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。

8KV接触, 15KV空隙放电

专门设计用于保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。

专门设计用于保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。