专门设计用于保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。
R+O(宏嘉诚)DO-214AC(SMA)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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VRWM:5V, IPP:4A, CJ:0.6pF
TECH PUBLIC(台舟)SOT-23
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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VRWM:5V, IPP:6A, CJ:0.5pF
TECH PUBLIC(台舟)SOT-23-6
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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VC:25V@5A,Cj_Typ:0.3pF,丝印:5S
R+O(宏嘉诚)SOD-523
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
R+O(宏嘉诚)DO-214AA(SMB)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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VRWM:3.3V, IPP:35A, CJ:70pF
TECH PUBLIC(台舟)SOD-323
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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VRWM:24V, IPP:7A, CJ:25pF
TECH PUBLIC(台舟)SOT-23
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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特性:适用于表面贴装应用,以优化电路板空间。 薄型封装。 内置应力消除。 玻璃钝化结。 低电感。 出色的钳位能力。应用:I/O接口。 AC/DC电源
MDD(辰达半导体)DO-214AA(SMB)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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特性:玻璃钝化芯片。具有200W的峰值脉冲功率能力,波形为10/1000μs,重复率(占空比)为0.01%。低泄漏。单向和双向单元。出色的钳位能力。响应时间极快
DOWO(东沃)SOD-123FL
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
R+O(宏嘉诚)DO-214AA(SMB)
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专门设计用于保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。
R+O(宏嘉诚)SMC(DO-214AB)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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VBR=7.5V, Vc=17V, Ipp=34A, Cd=75pF 内置两组
PROTEKSOT-23
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专门设计用于保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。
R+O(宏嘉诚)DO-214AC(SMA)
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SMF系列专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
R+O(宏嘉诚)SOD-123FL
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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SMF系列专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
R+O(宏嘉诚)SOD-123FL
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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SMF系列专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
R+O(宏嘉诚)SOD-123FL
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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SMF系列专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
R+O(宏嘉诚)SOD-123FL
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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SMF系列专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
R+O(宏嘉诚)SOD-123FL
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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专门设计用于保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。
R+O(宏嘉诚)DO-214AC(SMA)
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专门设计用于保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。
R+O(宏嘉诚)DO-214AC(SMA)
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