专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
R+O(宏嘉诚)DO-214AA(SMB)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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VBR=7.22V ,Vc=11.2V, Ipp=53.6A 双向
Brightking(君耀电子)SMB(DO-214AA)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
R+O(宏嘉诚)DO-214AA(SMB)
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VBR=6V, Vc=15V ,Ipp=5A
SEMTECHDFN-10(1x2.5)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
R+O(宏嘉诚)DO-214AA(SMB)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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VC:16.7V@12A,CJ_Max:20pF,丝印:7R
R+O(宏嘉诚)DFN1006-2L
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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VC:24V@5A,Cj_Typ:0.3pF,丝印:5F
R+O(宏嘉诚)DFN1006-2L
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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VC:24V@15A,CJ_Max:90pF,丝印:M12
R+O(宏嘉诚)SOD-523
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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VC:36V@35A,CJ_Max:50pF,丝印:12B
R+O(宏嘉诚)SOD-323
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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SMF系列专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
R+O(宏嘉诚)SOD-123FL
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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SMF系列专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
R+O(宏嘉诚)SOD-123FL
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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VC:60V@8A,Cj_Typ:20pF,丝印:24
R+O(宏嘉诚)DFN1006-2L
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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VC:17V@25A,CJ_Max:100pF,丝印:03B
R+O(宏嘉诚)SOD-323
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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VC:25V@5A,Cj_Typ:0.25pF,丝印 S
R+O(宏嘉诚)DFN1006-2L
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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专门设计用于保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。
R+O(宏嘉诚)DO-214AC(SMA)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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VC:10V@40A,Cj_Typ:100pF,丝印:A5
R+O(宏嘉诚)SOD-323
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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专门设计用于保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。
R+O(宏嘉诚)DO-214AC(SMA)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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VC:50V@7A,CJ_Max:30pF,丝印:24B
R+O(宏嘉诚)SOD-323
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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VC:12V@8A,CJ_Max:20pF,丝印:LA5
R+O(宏嘉诚)SOT-23
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
R+O(宏嘉诚)DO-214AA(SMB)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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