专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
R+O(宏嘉诚)DO-214AA(SMB)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
R+O(宏嘉诚)DO-214AA(SMB)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
R+O(宏嘉诚)DO-214AA(SMB)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
R+O(宏嘉诚)DO-214AA(SMB)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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设计用于保护敏感电子设备免受雷电和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。
R+O(宏嘉诚)SMB(DO-214AA)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
R+O(宏嘉诚)DO-214AA(SMB)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
R+O(宏嘉诚)DO-214AA(SMB)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
R+O(宏嘉诚)DO-214AA(SMB)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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SMBJ 系列专为保护敏感电子设备免受雷电及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
R+O(宏嘉诚)SMB(DO-214AA)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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VR=5V,Vc=9.2V,Ipp=21.7A 单向
Littelfuse(美国力特)SOD-123FL
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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专门设计用于保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。
R+O(宏嘉诚)SMC(DO-214AB)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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专门设计用于保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。
R+O(宏嘉诚)SMC(DO-214AB)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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专门设计用于保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。
R+O(宏嘉诚)SMC(DO-214AB)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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SMBJ专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
Littelfuse(美国力特)DO-214AA
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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USB 2.0高速接口的ESD保护
ST(意法半导体)SOT-666-6
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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特性:低泄漏电流。 低钳位电压。 IEC 61000-4-2 (ESD Air): ±25 kV。 IEC 61000-4-2 (ESD Contact): ±25 kV。 IEC 61000-4-5 (Lightning 8/20 μs): 10 A。应用:手机及配件。 个人数字助理
R+O(宏嘉诚)SOD-523
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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VC:11V@45A,Cj_Typ:60pF,丝印 45P
R+O(宏嘉诚)DFN1006-2L
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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SMF系列专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
R+O(宏嘉诚)SOD-123FL
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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VC:40V@8A,Cj_Typ:15pF,丝印:DE
R+O(宏嘉诚)DFN1006-2L
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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超低电容双向静电放电(ESD)保护二极管,属于TrEOS保护系列。该器件采用DSN0603-2(SOD962)无引脚超小型表面贴装器件(SMD)封装。TrEOS保护系列经过优化,能够以高稳健性保护非常敏感的高速接口免受ESD脉冲的影响。
Nexperia(安世)DSN0603-2
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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