SRV05-4旨在保护电压敏感元件免受ESD和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间,使这些器件非常适合用于电路板空间有限的设计中的ESD保护。
MSKSEMI(美森科)SOT-23-6
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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8KV接触, 15KV空隙放电
Nexperia(安世)DFN1006-2
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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特性:低泄漏电流。低钳位电压。IEC 61000-4-2(ESD 空气放电):±30 kV。IEC 61000-4-2(ESD 接触放电):±30 kV。IEC 61000-4-5(雷电 8/20 μs):4 A。应用:手机及配件。个人数字助理
R+O(宏嘉诚)SOD-323
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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SMF系列专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
R+O(宏嘉诚)SOD-123FL
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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VRWM:5V, IPP:3.3A, CJ:0.35pF
TECH PUBLIC(台舟)DFN1006-2
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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SDxxC系列专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电(ESD)敏感的设备,如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备及其他应用场景。这些器件非常适合印刷电路板空间有限的情况
R+O(宏嘉诚)SOD-323
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专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
R+O(宏嘉诚)SOD-123FL
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专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
R+O(宏嘉诚)DO-214AC(SMA)
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专门设计用于保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。
R+O(宏嘉诚)DO-214AC(SMA)
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专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
R+O(宏嘉诚)DO-214AA(SMB)
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SOT-523 3.3V 双向TVS
BORN(伯恩半导体)SOD-523
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专门设计用于保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。
R+O(宏嘉诚)DO-214AC(SMA)
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专门设计用于保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。
R+O(宏嘉诚)DO-214AC(SMA)
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10KV接触, 15KV空隙放电
onsemi(安森美)SOD-923
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超低电容双向静电放电 (ESD) 保护二极管,属于 TrEOS 保护系列。该器件采用 DSN0603-2 (SOD962-2) 无铅超小型表面贴装器件 (SMD) 封装,旨在保护一条信号线免受 ESD 和其他瞬态电压的损害。
Nexperia(安世)DSN0603-2
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专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
R+O(宏嘉诚)DO-214AA(SMB)
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采用SOT23(TO - 236AB)小型表面贴装器件(SMD)塑料封装的低电容单向双静电放电(ESD)保护二极管,旨在保护多达两条信号线免受ESD和其他瞬态影响造成的损坏。
Nexperia(安世)SOT-23
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R+O(宏嘉诚)SOD-323
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专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
R+O(宏嘉诚)DO-214AA(SMB)
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专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
R+O(宏嘉诚)DO-214AA(SMB)
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