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VC:55V@7A,CJ_Max:36pF,丝印:CB2
R+O(宏嘉诚)SOT-23
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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用于保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。
R+O(宏嘉诚)SMA
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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是单向ESD保护二极管,用于保护数据线和其他I/O端口,额定可消散高达±30 kV的ESD冲击(符合IEC 61000-4-2国际标准,大于4级)。具有1 pF(典型值)的IO电容,可实现对如USB 2.0等协议的高速接口保护。极低的动态电阻(0.1 Ω)和钳位电压(16 A TLP时为7.6 V),可用于系统级瞬态事件保护。30 kV ESD额定值和6.2 A浪涌能力,可在小封装中为便携式电子产品和其他空间受限应用(如可穿戴设备)中的5.5 V电源轨提供强大的瞬态保护。采用行业标准的0201 (DPL)封装。
TI(德州仪器)X2SON-2(0.3x0.6)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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专门设计用于保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。
R+O(宏嘉诚)SMC(DO-214AB)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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SMBJ 系列专为保护敏感电子设备免受雷电及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
R+O(宏嘉诚)SMB(DO-214AA)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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SMBJ 系列专为保护敏感电子设备免受雷电及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
R+O(宏嘉诚)SMB(DO-214AA)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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SMBJ专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
Littelfuse(美国力特)DO-214AA
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SMCJ 系列专门设计用于保护敏感电子设备,使其免受雷击和其他瞬态电压事件所引发的电压瞬变影响。
R+O(宏嘉诚)SMC(DO-214AB)
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8KV接触, 15KV空隙放电
Nexperia(安世)SOT-23
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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5.0SMDJ 系列专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
R+O(宏嘉诚)DO-214AB(SMC)
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旨在保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。
R+O(宏嘉诚)SMC
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0521/0531,5.0V 单路双向ESD静电防护器件,20kV,CJ:0.25pF;HDMI/USB/NFC/RF超高速接口通讯防护。
ElecSuper(静芯)DFN1006-2L
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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KLXES15AAA1聚合物ESD抑制器可保护敏感电子设备免受静电放电(ESD)影响,且不会使数据信号失真。这种保护得益于其超低电容,仅为0.05 pF(I/O到地),可帮助设备通过IEC61000 - 4 - 2 4级测试(15KV空气放电、8KV接触放电)。
KUU0402
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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低电容静电放电 (ESD) 保护二极管,采用超小 SMD 塑料封装,旨在保护一条信号线免受 ESD 和其他瞬态损坏。
UMW(友台半导体)SOD-323
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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DFN1006-2L封装, 5.0V单路双向低容ESD静电防护器件,IPP_4.0A,VC_20V,Cj_0.5pF,ESD 20KV;适用于HDMI/USB/NFC/RF超高速接口通讯防护。
R+O(宏嘉诚)DFN1006-2L
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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R+O(宏嘉诚)SOD-123FL
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
R+O(宏嘉诚)SOD-123FL
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
R+O(宏嘉诚)DO-214AC(SMA)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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采用GPP工艺芯片,具有低漏电、高对档率等优势 ,有较好的高温特性及稳定性。
GOODWORK(固得沃克)DO-214AC(SMA)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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专门设计用于保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。
R+O(宏嘉诚)DO-214AC(SMA)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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