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专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。

特性:符合以下标准: -IEC 61000-4-2(ESD)抗扰度测试:空气放电 ±30kV,接触放电 ±30kV。 -IEC 61000-4-4(EFT)40A(5/50ns)。 -IEC 61000-4-5(Lightning)6A(8/20μs)。 超低泄漏:nA级别。 工作电压:5V。 低钳位电压。应用:USB 2.0接口。 10/100以太网

VRWM:5V, IPP:10A, CJ:1pF

特性:低泄漏电流。 SOD-323表面贴装封装。 IEC 61000-4-2 (ESD Air):±30 kV。 IEC 61000-4-2 (ESD Contact):±30 kV。 IEC 61000-4-5 (Lightning 8/20 μs):10 A。应用:LED照明模块。 RS232/RS485

特性:适用于表面贴装应用,以优化电路板空间。 薄型封装。 内置应力消除。 玻璃钝化结。 低电感。 出色的钳位能力。应用:I/O接口。 AC/DC电源

特性:适用于表面贴装应用,以优化电路板空间。 薄型封装。 内置应力消除。 玻璃钝化结。 低电感。 出色的钳位能力。应用:I/O接口。 AC/DC电源

GBLCxxC系列是超低电容瞬态电压抑制器阵列,旨在保护便携式电子设备和智能手机等应用。该系列有单向和双向两种配置,对于8/20μs波形的额定功率为300瓦。GBLCxxC系列符合IEC 61000 - 4 - 2(静电放电)和IEC 61000 - 4 - 4(电快速瞬变脉冲群)要求

VC:20V@115A,CJ_Max:900pF,丝印:7P

专门设计用于保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。

SMCJ 系列专门设计用于保护敏感电子设备,使其免受雷击和其他瞬态电压事件所引发的电压瞬变影响。

二极管 TVS 1uA 5V 钳位电压 最大: 28V 二极管封装形式: SOT-23 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (20-Jun-2013) SMD标号: V4 TVS 极性: 双向 二极管配置: 双向 击穿电压: 7.6V 击穿电压 最小: 7V 击穿电压范围: 7V 至 8.2V 峰值脉冲电流: 13A 工作温度最小值: -65°C 工作温度最高值: 150°C 工作温度范围: -65°C 至 +150°C 截止电压: 5V 最低击穿电压: 7V 最高击穿电压: 8.2V 电压, Vrwm: 5V 电容值, Cd @ Vr 典型值: 75pF 脉冲峰值功率: 350W 表面安装器件: SMD 钳位电压, 8/20us 最大: 28V

SMBJ专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。

SMCJ 系列专门设计用于保护敏感电子设备,使其免受雷击和其他瞬态电压事件所引发的电压瞬变影响。

SMDJ 系列专门设计用于保护敏感电子设备,使其免受雷击和其他瞬态电压事件所引发的电压瞬变影响。

峰值脉冲功率(tp=8/20s)(PPP):80W 钳位电压(VC): 10V 工作电压(VRWM):5V 反向峰值脉冲电流(IPP):8A 最小击穿电压VBR):5.6V-8.4V 结电容(CJ):15PF-18PF

该DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管适用于5V系统,提供单通道高效保护。具有5.5A峰值脉冲电流IPP能力,能有效抑制双向瞬态ESD冲击,确保电路稳定运行。其结电容为10pF,适合高速数据接口应用,兼具良好的信号完整性和卓越的静电防护性能,是现代电子设备理想的抗静电方案。

高分子ESD

特性:小外形尺寸。 低本体高度。 截止电压:2.5V-12V。 峰值功率高达200瓦(8x20μs脉冲)。 低泄漏。 响应时间通常 < 1 ns。应用:手机。 便携式设备

本产品是一款用于静电和浪涌保护的元器件,具有11A的电流承载能力,5V的工作电压,20pF的典型结电容。采用单通道设计,Bi双向类型,确保在各种应用场景中提供稳定的保护性能,适用于多种电子设备。

设计用于保护对电压敏感的组件免受ESD和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间,使其成为电路板空间有限的设计中ESD保护的理想选择。