VRWM:5V, IPP:2A, CJ:0.9pF
TECH PUBLIC(台舟)DFN1006-2(0402)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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SOT-523 5V Cj=8pF 双向 静电TVS 普通信号
BORN(伯恩半导体)SOD-523
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
R+O(宏嘉诚)DO-214AC(SMA)
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表面贴装瞬态电压抑制器,功率600瓦,关断电压:5.0V~440V
晶导微电子SMB
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特性:200W 峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 接触放电:±30kV,空气放电:±30kV。应用:数据线路。 自动取款机
UMW(友台半导体)SOT-23
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专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
R+O(宏嘉诚)DO-214AC(SMA)
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VBR=7.22V VD=11.2V IPP=53.6A
晶导微电子SMB
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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特性:符合以下标准:IEC 61000-4-2 (ESD) 抗扰度测试 空气放电:±30kV 接触放电:±30kV。IEC 61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns)。IEC 61000-4-5 (Lightning) 7A (8/20μs)。 150W 峰值脉冲功率 (8/20μs)。 超低泄漏:nA 级别。 工作电压:7V 或 12V。应用:无线系统网络。 便携式仪器
UMW(友台半导体)SOT-23
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AC
MSKSEMI(美森科)SOD-323
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VC:25V@20A,Cj_Typ:75pF,丝印:C08
R+O(宏嘉诚)SOT-23
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专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
R+O(宏嘉诚)DO-214AC(SMA)
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专门设计用于保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。
R+O(宏嘉诚)DO-214AC(SMA)
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特性:低外形封装,适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 有单向和双向两种类型。 600W 峰值脉冲功率能力,波形为 10/1000μs,重复率(占空比):0.01%。 出色的钳位能力。 非常快的响应时间。 低增量浪涌电阻。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级,LF 最大峰值为 260°C。 有 AEC-Q101 认证可选-汽车订购代码:基础型号 P/NHE3 或 P/NHM3。 IEC 61000-4-2 ESD 30kV(空气),30kV(接触)。 符合 IEC 61000-4-4 的数据线 EFT 保护
UMW(友台半导体)SMB(DO-214AA)
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特性:低泄漏电流。 SOT-23表面贴装封装。 IEC 61000-4-2(ESD空气放电):±25 kV。 IEC 61000-4-2(ESD接触放电):±25 kV。 IEC 61000-4-5(雷电8/20 μs):8 A。应用:手机及配件。 基于微处理器的设备
R+O(宏嘉诚)SOT-23
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特性:40W 峰值脉冲功率 (tp = 8 / 20μs)。 微小 SOT143 封装。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。应用:USB2.0。 以太网
UMW(友台半导体)SOT-143
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特性:适用于表面贴装应用,以优化电路板空间。 低轮廓封装。 内置应力消除。 玻璃钝化结。 低电感。 出色的钳位能力。应用:I/O接口。 AC/DC电源
MDD(辰达半导体)DO-214AC(SMA)
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特性:适用于表面贴装应用,以优化电路板空间。 低轮廓封装。 内置应力消除。 玻璃钝化结。 低电感。 出色的钳位能力。应用:I/O接口。 AC/DC电源
MDD(辰达半导体)DO-214AC(SMA)
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VRWM:24V, IPP:3A, CJ:10pF
TECH PUBLIC(台舟)SOT-23
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专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
R+O(宏嘉诚)DO-214AA(SMB)
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SMBJ 系列专为保护敏感电子设备免受雷电及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
R+O(宏嘉诚)SMB(DO-214AA)
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