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二极管 / 晶体管型号

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特性:适用于表面贴装应用,以优化电路板空间。 薄型封装。 内置应力消除。 玻璃钝化结。 低电感。 出色的钳位能力。应用:I/O接口。 AC/DC电源

MDD(辰达半导体)DO-214AA(SMB)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。

R+O(宏嘉诚)DO-214AA(SMB)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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特性:适用于表面贴装应用,以优化电路板空间。 薄型封装。 内置应力消除。 玻璃钝化结。 低电感。 出色的钳位能力。应用:I/O接口。 AC/DC电源

MDD(辰达半导体)DO-214AA(SMB)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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3.3V 低漏电TVS

BORN(伯恩半导体)SOD-123
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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超低电容单向静电放电(ESD)保护二极管,属于TrEOS保护系列。该器件采用小型无引脚DFN1006BD - 2(SOD882BD)表面贴装器件(SMD)塑料封装,具有可焊侧沿。该器件旨在保护一条汽车车内网络总线线路免受ESD和其他瞬态现象造成的损坏。

Nexperia(安世)DFN1006-2(SOD-882)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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VC:38.5V@8A,CJ_Max:25pF,丝印:BB2

R+O(宏嘉诚)SOT-23
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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SMCJ 系列专门设计用于保护敏感电子设备,使其免受雷击和其他瞬态电压事件所引发的电压瞬变影响。

R+O(宏嘉诚)SMC(DO-214AB)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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SMCJ 系列专门设计用于保护敏感电子设备,使其免受雷击和其他瞬态电压事件所引发的电压瞬变影响。

R+O(宏嘉诚)SMC(DO-214AB)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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SMCJ 系列专门设计用于保护敏感电子设备,使其免受雷击和其他瞬态电压事件所引发的电压瞬变影响。

R+O(宏嘉诚)SMC(DO-214AB)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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SMCJ 系列专门设计用于保护敏感电子设备,使其免受雷击和其他瞬态电压事件所引发的电压瞬变影响。

R+O(宏嘉诚)SMC(DO-214AB)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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该器件专用于高速接口(如USB 2.0、以太网链路和视频线路)的静电放电(ESD)保护。极低的线路电容可确保高水平的信号完整性,同时能有效保护敏感芯片免受最严苛的ESD冲击。IPP_5.5A、VC_14V、0.5pF、ESD 30KV;

R+O(宏嘉诚)SOT-563
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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SMCJ 系列专门设计用于保护敏感电子设备,使其免受雷击和其他瞬态电压事件所引发的电压瞬变影响。

R+O(宏嘉诚)SMC(DO-214AB)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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这些浪涌保护二极管专为需要瞬态过电压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电(ESD)敏感的设备,如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用场景。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。

onsemi(安森美)SOD-323
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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8KV接触, 15KV空隙放电

Nexperia(安世)SOT-23
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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采用小型SOT23(TO - 236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装的ESD保护器件,旨在保护两条汽车车内网络总线免受静电放电(ESD)和其他瞬态现象造成的损坏。

Nexperia(安世)SOT-23
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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采用超小型SOD323 (SC-76) SMD塑料封装的双向静电放电 (ESD) 保护二极管,旨在保护单条信号线免受ESD及其他瞬态现象造成的损坏。

Nexperia(安世)SOD-323
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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旨在保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。

R+O(宏嘉诚)SMC(DO-214AB)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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旨在保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。

R+O(宏嘉诚)SMC(DO-214AB)
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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这款SOD-523封装的ESD静电防护二极管采用双向设计,专为1通道保护而生。具备5V额定反向工作电压VRWM及卓越的瞬态承受能力,峰值脉冲电流可达9A。超低结电容仅为15pF,确保高速信号传输不受干扰,是高集成电子设备的理想ESD防护解决方案。

HXY MOSFET(华轩阳电子)SOD-523
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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特性:小外形尺寸。 低本体高度。 截止电压:2.5V-12V。 峰值功率高达200瓦(8x20μs脉冲)。 低泄漏。 响应时间通常 < 1 ns。应用:手机。 便携式设备

MSKSEMI(美森科)SOD-523
二极管 / 晶体管静电和浪涌保护(TVS / ESD)
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