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特性:260W 峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC61000-4-2 接触 ±30kV,空气 ±30kV。应用:基于微处理器的设备。 个人数字助理 (PDA)

采用GPP工艺芯片,具有低漏电、高对档率等优势 ,有较好的高温特性及稳定性。

表面贴装瞬态电压抑制器,功率400W。关断电压:5.0V~440V

特性:300W 峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 双向和单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 低电容 (Cj = 120 pF 典型值)。应用:数据线。 自动取款机

专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。

VRWM:5V, IPP:4A, CJ:0.3pF

VC:15V@25A,CJ_Max:100pF,丝印:3B2

专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。

采用GPP工艺芯片,具有低漏电、高对档率等优势 ,有较好的高温特性及稳定性。

专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。

表面贴装瞬态电压抑制器,功率600瓦,关断电压:5.0V~440V

特性:400 瓦峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 保护两条 7V 至 12V 线路。 低电容。 低钳位电压。 固态硅雪崩技术。 IEC 61000-4-2 (ESD) ±15kV(空气),±8kV(接触)。应用:保护具有扩展共模范围的 RS-485 收发器。 安全系统

超低电容双向静电放电(ESD)保护二极管,属于TrEOS保护系列产品。该器件采用DSN0603-2(SOD962)无引脚超小型表面贴装器件(SMD)封装。TrEOS保护系列产品经过优化,可凭借高度的稳健性保护非常敏感的高速接口免受ESD脉冲影响。

个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子

特性:适用于表面贴装应用,以优化电路板空间。 低轮廓封装。 内置应力消除。 玻璃钝化结。 低电感。 出色的钳位能力。应用:I/O接口。 AC/DC电源

VRWM:5V, IPP:3A, CJ:5pF

VC:15V@185A,CJ_Max:650pF,丝印:H4T

专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。

PESD2CAN是一款双向瞬态电压抑制(TVS)二极管阵列,采用先进的单片硅技术,响应时间快,静电放电(ESD)钳位电压低,是保护敏感半导体元件免受损坏的理想解决方案。PESD2CAN符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)标准,空气放电±15kV,接触放电±8kV。该器件采用无铅SOT - 23封装,旨在保护连接到数据和传输线路的元件免受电压浪涌的影响。

特性:500 瓦峰值脉冲功率(tp = 8/20μs)。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 ±30kV 接触,±30kV 空气。应用:基于微处理器的设备。 个人数字助理(PDA)