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表面贴装瞬态电压抑制器,功率400W。关断电压:5.0V~440V

表面贴装瞬态电压抑制器,功率400W。关断电压:5.0V~440V

SMBJ 系列专为保护敏感电子设备免受雷电及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。

芯片静电放电抑制器专门设计用于保护敏感电子设备免受静电放电 (ESD) 的威胁。该产品对瞬态电压几乎立即做出反应,并在 ESD 瞬态期间有效地将其钳位到低电压。该产品使用压敏聚合物,具有低电容和极低的泄漏电流。因此,该器件在正常工作模式下对电路几乎没有影响。由于其高关态阻抗和低电容,它对高速数字电路尤其透明。大量测试表明,信号不会失真或中断。使用静电放电抑制器进行 ESD 保护,设备在保护电路免受 ESD 影响的同时,可保持高速数据信号的完整性。这种材料的特性使其成为双向器件,这意味着每条浪涌路径只需一个器件,即可提供完整的 ESD 保护,而无需考虑浪涌极性。

VC:25V@5A,Cj_Typ:0.3pF,丝印:H

VC:15V@4A,Cj_Typ:1pF,丝印:V05

VRWM:5V, CJ:0.05pF

采用GPP工艺芯片,具有低漏电、高对档率等优势 ,有较好的高温特性及稳定性。

表面贴装瞬态电压抑制器,功率600瓦,关断电压:5.0V~440V

特性:低外形封装,适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 有单向和双向两种类型。 600W 峰值脉冲功率能力,波形为 10/1000μs,重复率(占空比):0.01%。 出色的钳位能力。 非常快的响应时间。 低增量浪涌电阻。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级,LF 最大峰值为 260°C。 有 AEC-Q101 认证可选-汽车订购代码:基础型号 P/NHE3 或 P/NHM3。 IEC 61000-4-2 ESD 30kV(空气),30kV(接触)。 符合 IEC 61000-4-4 的数据线 EFT 保护

特性:低外形封装,适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 有单向和双向两种类型。 600W 峰值脉冲功率能力,波形为 10/1000μs,重复率(占空比):0.01%。 出色的钳位能力。 非常快的响应时间。 低增量浪涌电阻。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级,LF 最大峰值为 260°C。 有 AEC-Q101 认证可选-汽车订购代码:基础型号 P/NHE3 或 P/NHM3。 IEC 61000-4-2 ESD 30kV(空气),30kV(接触)。 符合 IEC 61000-4-4 的数据线 EFT 保护

采用DFN1006-2(SOD882)超小型无引脚表面贴装器件(SMD)塑料封装的超低电容双向静电放电(ESD)保护二极管,旨在保护一条信号线免受ESD和其他瞬态现象造成的损坏。

专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。

极低钳位、极低电容的双向静电放电(ESD)保护二极管,属于TrEOS保护系列。该器件采用DSN0603 - 2(SOD962 - 2)无引脚超小型表面贴装器件(SMD)封装,旨在保护一条信号线免受ESD和其他瞬态现象造成的损坏。

VRWM:5V, IPP:4A, CJ:0.3pF

R05,5.0V 2路单向ESD静电防护器件,CJ:0.6pF;HDMI/USB高速接口通讯防护。

表面贴装瞬态电压抑制器,功率600瓦,关断电压:5.0V~440V

ESD静电防护在高速数据传输接口上提供卓越的静电防护性能,是高集成度电子设备的理想ESD防护组件。

VBR=16.7V VC=24.4V IPP=24.6A 单向

ESD5Z系列旨在保护电压敏感元件免受静电放电(ESD)和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间,使这些器件非常适合在电路板空间有限的设计中用于ESD保护。由于其尺寸小,适用于手机、便携式设备、数码相机、电源和许多其他便携式应用。